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ZnO基薄膜的制备及其阻变性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第一章 绪论第11-37页
    1.1 引言第11-13页
    1.2 阻变存储器概述第13-26页
        1.2.1 阻变特性概述第13-14页
        1.2.2 阻变材料体系第14-18页
        1.2.3 阻变机制第18-25页
        1.2.4 阻变存储器性能参数第25-26页
    1.3 ZnO基阻变存储器的研究进展第26-28页
    1.4 选题意义和研究内容第28-30页
    参考文献第30-37页
第二章Ni掺杂ZnO薄膜的阻变性能研究第37-55页
    2.1 实验方法第38-42页
        2.1.1 原材料及设备第38-39页
        2.1.2 衬底清洗第39页
        2.1.3 配制NixZn1-xO溶胶第39-40页
        2.1.4 NixZn1-xO薄膜制备流程第40页
        2.1.5 制备顶电极第40页
        2.1.6 样品表征第40-42页
    2.2 电流-电压特性分析第42-45页
    2.3 微观导电机制第45-47页
    2.4 保持特性第47-49页
    2.6 转换电压分布第49-51页
    2.7 本章小结第51-52页
    参考文献第52-55页
第三章Cu掺杂ZnO薄膜的阻变性能研究第55-65页
    3.1 实验方法第56页
    3.2 XRD分析第56-57页
    3.3 电流-电压特性分析第57-58页
    3.4 微观导电机制第58-59页
    3.5 保持特性第59-61页
    3.6 转换电压分布第61-63页
    3.7 本章小结第63-64页
    参考文献第64-65页
第四章ZnO基复合结构的阻变特性研究第65-75页
    4.1 实验方法第65-66页
    4.2 电流-电压特性分析第66-69页
    4.3 微观机理第69-70页
    4.4 保持特性分布第70-72页
    4.5 本章小结第72-73页
    参考文献第73-75页
第五章Cu及浓氨水共添加对ZnO水热膜的影响第75-91页
    5.1 实验方法第76页
        5.1.1 样品制备第76页
        5.1.2 样品表征第76页
    5.2 显微形貌第76-81页
    5.3 晶相组成第81-82页
    5.4 光致发光谱第82-83页
    5.5 场发射特性第83-84页
    5.6 I-V特性第84-88页
    5.7 本章小结第88-89页
    参考文献第89-91页
结论第91-92页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第92-93页
致谢第93-94页
附件第94页

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