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一种低插损大衰减量的MMIC 6位数控衰减器

摘要第5-6页
ABSTRACT第6页
第一章 绪论第9-13页
    1.1 课题研究的背景和意义第9-11页
    1.2 MMIC的发展概况第11页
    1.3 本论文的研究内容和结构安排第11-13页
第二章 衰减器的基本原理第13-21页
    2.1 衰减器的基本特性第13-14页
    2.2 衰减器的结构第14-20页
        2.2.1 开关型结构第14-15页
        2.2.2 T型结构第15-16页
        2.2.3 П型结构第16-18页
        2.2.4 桥T型结构第18-20页
    2.3 本章小结第20-21页
第三章 MMIC设计中模型的建模方法第21-33页
    3.1 GaAs PHEMT开关模型第21-26页
        3.1.1 开关元件的工作原理第21-22页
        3.1.2 开关模型的建模方法第22-26页
    3.2 无源器件的模型分析第26-32页
        3.2.1 电阻模型第26-28页
        3.2.2 电容模型第28-29页
        3.2.3 电感模型第29-30页
        3.2.4 通孔模型第30-32页
    3.3 本章小结第32-33页
第四章 衰减器的设计第33-49页
    4.1 各个衰减位的分析与设计第33-47页
        4.1.1 1dB衰减位的分析与设计第33-37页
        4.1.2 2dB/4dB/8d B衰减位的分析与设计第37-43页
        4.1.3 16dB/32dB衰减位的分析与设计第43-47页
    4.2 六位衰减器的级联设计第47-48页
    4.3 本章小结第48-49页
第五章 驱动电路的设计第49-57页
    5.1 驱动电路的基本原理第49-54页
    5.2 驱动电路的设计第54-56页
    5.3 本章小结第56-57页
第六章 MMIC数控衰减器的制造与测试第57-68页
    6.1 数控衰减器的制造第57-61页
    6.2 测试与分析第61-68页
第七章 总结第68-69页
致谢第69-70页
参考文献第70-73页
攻硕期间取得的研究成果第73-74页

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