| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 非晶硅薄膜 | 第12-17页 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜的性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 非晶硅薄膜的生长机理 | 第14-17页 |
| 1.3 非晶硅太阳能电池 | 第17-20页 |
| 1.3.1 非晶硅太阳能电池的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3.2 非晶硅太阳能电池的原理 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 | 第20-21页 |
| 第2章 非晶硅薄膜及电池的制备和表征方法 | 第21-33页 |
| 2.1 Multi-Chamber PECVD沉积系统 | 第21-24页 |
| 2.1.1 Multi-Chamber PECVD沉积系统 | 第21-24页 |
| 2.2 Multi-Chamber PECVD操作系统 | 第24-26页 |
| 2.3 非晶硅太阳能电池的制备流程 | 第26-27页 |
| 2.4 非晶硅薄膜和太阳能电池的表征方法 | 第27-32页 |
| 2.4.1 非晶硅薄膜厚度的测量 | 第28页 |
| 2.4.2 非晶硅薄膜结构特性测量 | 第28-29页 |
| 2.4.3 非晶硅薄膜电学特性的测量 | 第29页 |
| 2.4.4 非晶硅电池的J-V特性测量 | 第29-31页 |
| 2.4.5 非晶硅电池的QE特性测量 | 第31-32页 |
| 2.5 小结 | 第32-33页 |
| 第3章 沉积条件对a-Si：H薄膜性能的影响 | 第33-43页 |
| 3.1 浓度和流量对薄膜性质的影响 | 第33-38页 |
| 3.1.1 氢气量恒定,改变硅烷的量 | 第33-35页 |
| 3.1.2 硅烷量恒定,改变氢气的量 | 第35-36页 |
| 3.1.3 硅烷量恒定,高氢气稀释 | 第36-38页 |
| 3.2 压强对薄膜性质的影响 | 第38页 |
| 3.3 功率对薄膜性质的影响 | 第38-40页 |
| 3.4 小结 | 第40-43页 |
| 第4章 工艺条件对太阳能电池性能的影响 | 第43-55页 |
| 4.1 本征层厚度的影响 | 第43-47页 |
| 4.2 界面氢等离子体处理的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 面积对电池的影响 | 第48-52页 |
| 4.4 背反射极的影响 | 第52-53页 |
| 4.5 小结 | 第53-55页 |
| 第5章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第65页 |
