| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第11-31页 |
| 1.1 单分子磁体中的磁量子隧穿 | 第12-14页 |
| 1.2 非磁学手段调控单分子磁体中磁量子隧穿 | 第14-18页 |
| 1.3 金属有机框架中的磁量子隧穿 | 第18-29页 |
| 1.3.1 金属有机框架中的多铁性与磁电耦合 | 第20-28页 |
| 1.3.2 金属有机框架与磁量子隧穿 | 第28-29页 |
| 1.4 本论文研究内容 | 第29-31页 |
| 第二章 单分子磁体Mn_(12)-Ac和Mn_(12-t)BuAc中磁弛豫速率的比较 | 第31-47页 |
| 2.1 研究背景 | 第31-33页 |
| 2.2 单分子磁体Mn_(12)-Ac和Mn_(12-t)BuAc的制备和表征 | 第33-34页 |
| 2.2.1 晶体生长 | 第33页 |
| 2.2.2 结构表征 | 第33-34页 |
| 2.3 霍尔探测器的制作与使用 | 第34-37页 |
| 2.3.1 Hallbar的制作过程 | 第34-35页 |
| 2.3.2 Hallbar的使用方法 | 第35-37页 |
| 2.4 磁弛豫速率测量 | 第37-44页 |
| 2.4.1 Mn_(12)-Ac和Mn_(12-t)BuAc直流磁弛豫速率 | 第39-40页 |
| 2.4.2 “Holedigging”实验 | 第40-42页 |
| 2.4.3 磁偶极相互作用对磁弛豫的影响 | 第42-44页 |
| 2.5 总结 | 第44-47页 |
| 第三章 单分子磁体Mn_(12-t)BuAc单分子层的制备 | 第47-59页 |
| 3.1 研究背景 | 第47-49页 |
| 3.2 Mn_(12-t)BuAc薄膜制备与表征 | 第49-56页 |
| 3.2.1 LB成膜法简介 | 第49-50页 |
| 3.2.2 制膜过程与表面形貌表征 | 第50-52页 |
| 3.2.3 Mn_(12-t)BuAc薄膜磁学性质的研究 | 第52-56页 |
| 3.3 总结 | 第56-59页 |
| 第四章 金属有机框架[(CH_3)_2NH_2]Fe(HCOO)_3中氢键调控低温磁性的研究 | 第59-75页 |
| 4.1 研究背景 | 第59-60页 |
| 4.2 [(CH_3)_2NH_2]Fe(HCOO)_3单晶样品的生长 | 第60-61页 |
| 4.3 [(CH_3)_2NH_2]Fe(HCOO)_3晶体结构表征 | 第61-63页 |
| 4.4 高温反铁电相变对低温直流磁化率的影响 | 第63-67页 |
| 4.4.1 直流磁化率测量原理 | 第63-64页 |
| 4.4.2 实验过程 | 第64-66页 |
| 4.4.3 数据分析 | 第66-67页 |
| 4.5 高温反铁电相变对低温交流磁化率的影响 | 第67-72页 |
| 4.5.1 交流磁化率测量原理 | 第67-68页 |
| 4.5.2 实验过程 | 第68-70页 |
| 4.5.3 数据分析 | 第70-72页 |
| 4.6 总结 | 第72-75页 |
| 第五章 基于霍尔效应交流磁化率测量装置的设计与制作 | 第75-93页 |
| 5.1 研究背景 | 第75-77页 |
| 5.2 基于Hallbar的交流磁化率测量装置 | 第77-87页 |
| 5.2.1 装置介绍 | 第77-78页 |
| 5.2.2 “标准样品”检验 | 第78-82页 |
| 5.2.3 测量参数的优化 | 第82-87页 |
| 5.3 相干双交流方法在交流磁化率测量中的尝试 | 第87-92页 |
| 5.3.1 测量电路设计 | 第89-90页 |
| 5.3.2 测量与分析 | 第90-92页 |
| 5.4 总结 | 第92-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-106页 |
| 个人简历 | 第106-107页 |
| 发表文章目录 | 第107-108页 |
| 致谢 | 第108-110页 |
