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基于SiC外延石墨烯的紫外光电探测器研究

摘要第4-6页
Abstract第6-8页
第1章 绪论第12-38页
    1.1 引言第12-13页
    1.2 光电探测技术第13-21页
        1.2.1 光电探测的原理第13-16页
        1.2.2 光电探测器的性能参数第16-17页
        1.2.3 半导体光电探测器的结构与性能特点第17-19页
        1.2.4 紫外光电探测器的发展第19-21页
    1.3 石墨烯的性质第21-24页
        1.3.1 石墨烯的能带结构第21-22页
        1.3.2 石墨烯的电学性质第22-23页
        1.3.3 石墨烯的光学性质第23-24页
    1.4 石墨烯的制备方法第24-30页
        1.4.1 需转移工序的石墨烯制备方法第25-27页
        1.4.2 无需转移工序的SiC外延石墨烯第27-30页
    1.5 石墨烯的光电探测器第30-36页
    1.6 本论文的研究意义和主要研究内容第36-38页
第2章 实验原理及方法第38-53页
    2.1 材料生长的设备第38-41页
        2.1.1 中频感应加热炉第38-39页
        2.1.2 磁控溅射第39-41页
        2.1.3 热蒸发第41页
    2.2 微纳器件的制备方法第41-45页
        2.2.1 紫外曝光系统第42页
        2.2.2 反应离子刻蚀机第42-43页
        2.2.3 器件制备的工艺流程第43-45页
    2.3 表征方法及原理第45-51页
        2.3.1 拉曼光谱第45-47页
        2.3.2 原子力显微镜第47-48页
        2.3.3 光学显微镜第48-49页
        2.3.4 霍尔效应测试仪第49-50页
        2.3.5 紫外分光光度计第50-51页
    2.4 器件光电性能测试平台与测试方法第51-53页
第3章 外延石墨烯平面光电二极管第53-73页
    3.1 引言第53-54页
    3.2 器件的制备第54-57页
        3.2.1 外延石墨烯的制备与表征第54-55页
        3.2.2 器件结构与ITO电极的制备与表征第55-56页
        3.2.3 ITO与外延石墨烯的接触电阻第56-57页
    3.3 实验结果与讨论第57-72页
        3.3.1 光电流与光斑辐照位置的关系第57-59页
        3.3.2 器件的光电性能第59-63页
        3.3.3 器件的瞬态光响应第63-64页
        3.3.4 器件光电流响应的稳定性第64页
        3.3.5 器件的选择性光探测特性第64-65页
        3.3.6 实验结果分析与讨论第65-72页
    3.4 本章小结第72-73页
第4章 石墨烯条带的长宽比对光电探测器性能的影响第73-85页
    4.1 引言第73页
    4.2 材料表征与器件结构第73-75页
    4.3 实验结果与讨论第75-84页
        4.3.1 金属电极器件的光电性能第75-78页
        4.3.2 石墨烯作为电极的器件光电性能第78-80页
        4.3.3 原理分析与讨论第80-84页
    4.4 本章小结第84-85页
第5章 垂直结构的SiC外延石墨烯紫外光电二极管第85-101页
    5.1 引言第85-86页
    5.2 材料与器件的制备第86-88页
    5.3 器件的光电二极管性能第88-100页
        5.3.1 垂直结构EG/SiC肖特基二极管的电学性能测试与分析第88-90页
        5.3.2 器件的光电特性第90-95页
        5.3.3 器件的暂态光电响应特征第95-99页
        5.3.4 原理解释与分析第99-100页
    5.4 本章小结第100-101页
第6章 外延石墨烯光电晶体管第101-118页
    6.1 引言第101-102页
    6.2 栅绝缘层的选择、制备与表征第102-105页
    6.3 金属顶栅器件的制备、性能测试与结果讨论第105-110页
    6.4 ITO顶栅器件的制备、性能测试与结果讨论第110-117页
    6.5 本章小结第117-118页
第7章 总结与展望第118-121页
参考文献第121-138页
个人简历及发表文章目录第138-140页
致谢第140-141页

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