摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
第1章 绪论 | 第12-38页 |
1.1 引言 | 第12-13页 |
1.2 光电探测技术 | 第13-21页 |
1.2.1 光电探测的原理 | 第13-16页 |
1.2.2 光电探测器的性能参数 | 第16-17页 |
1.2.3 半导体光电探测器的结构与性能特点 | 第17-19页 |
1.2.4 紫外光电探测器的发展 | 第19-21页 |
1.3 石墨烯的性质 | 第21-24页 |
1.3.1 石墨烯的能带结构 | 第21-22页 |
1.3.2 石墨烯的电学性质 | 第22-23页 |
1.3.3 石墨烯的光学性质 | 第23-24页 |
1.4 石墨烯的制备方法 | 第24-30页 |
1.4.1 需转移工序的石墨烯制备方法 | 第25-27页 |
1.4.2 无需转移工序的SiC外延石墨烯 | 第27-30页 |
1.5 石墨烯的光电探测器 | 第30-36页 |
1.6 本论文的研究意义和主要研究内容 | 第36-38页 |
第2章 实验原理及方法 | 第38-53页 |
2.1 材料生长的设备 | 第38-41页 |
2.1.1 中频感应加热炉 | 第38-39页 |
2.1.2 磁控溅射 | 第39-41页 |
2.1.3 热蒸发 | 第41页 |
2.2 微纳器件的制备方法 | 第41-45页 |
2.2.1 紫外曝光系统 | 第42页 |
2.2.2 反应离子刻蚀机 | 第42-43页 |
2.2.3 器件制备的工艺流程 | 第43-45页 |
2.3 表征方法及原理 | 第45-51页 |
2.3.1 拉曼光谱 | 第45-47页 |
2.3.2 原子力显微镜 | 第47-48页 |
2.3.3 光学显微镜 | 第48-49页 |
2.3.4 霍尔效应测试仪 | 第49-50页 |
2.3.5 紫外分光光度计 | 第50-51页 |
2.4 器件光电性能测试平台与测试方法 | 第51-53页 |
第3章 外延石墨烯平面光电二极管 | 第53-73页 |
3.1 引言 | 第53-54页 |
3.2 器件的制备 | 第54-57页 |
3.2.1 外延石墨烯的制备与表征 | 第54-55页 |
3.2.2 器件结构与ITO电极的制备与表征 | 第55-56页 |
3.2.3 ITO与外延石墨烯的接触电阻 | 第56-57页 |
3.3 实验结果与讨论 | 第57-72页 |
3.3.1 光电流与光斑辐照位置的关系 | 第57-59页 |
3.3.2 器件的光电性能 | 第59-63页 |
3.3.3 器件的瞬态光响应 | 第63-64页 |
3.3.4 器件光电流响应的稳定性 | 第64页 |
3.3.5 器件的选择性光探测特性 | 第64-65页 |
3.3.6 实验结果分析与讨论 | 第65-72页 |
3.4 本章小结 | 第72-73页 |
第4章 石墨烯条带的长宽比对光电探测器性能的影响 | 第73-85页 |
4.1 引言 | 第73页 |
4.2 材料表征与器件结构 | 第73-75页 |
4.3 实验结果与讨论 | 第75-84页 |
4.3.1 金属电极器件的光电性能 | 第75-78页 |
4.3.2 石墨烯作为电极的器件光电性能 | 第78-80页 |
4.3.3 原理分析与讨论 | 第80-84页 |
4.4 本章小结 | 第84-85页 |
第5章 垂直结构的SiC外延石墨烯紫外光电二极管 | 第85-101页 |
5.1 引言 | 第85-86页 |
5.2 材料与器件的制备 | 第86-88页 |
5.3 器件的光电二极管性能 | 第88-100页 |
5.3.1 垂直结构EG/SiC肖特基二极管的电学性能测试与分析 | 第88-90页 |
5.3.2 器件的光电特性 | 第90-95页 |
5.3.3 器件的暂态光电响应特征 | 第95-99页 |
5.3.4 原理解释与分析 | 第99-100页 |
5.4 本章小结 | 第100-101页 |
第6章 外延石墨烯光电晶体管 | 第101-118页 |
6.1 引言 | 第101-102页 |
6.2 栅绝缘层的选择、制备与表征 | 第102-105页 |
6.3 金属顶栅器件的制备、性能测试与结果讨论 | 第105-110页 |
6.4 ITO顶栅器件的制备、性能测试与结果讨论 | 第110-117页 |
6.5 本章小结 | 第117-118页 |
第7章 总结与展望 | 第118-121页 |
参考文献 | 第121-138页 |
个人简历及发表文章目录 | 第138-140页 |
致谢 | 第140-141页 |