二维二硒化钨光电性能的研究
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 课题研究背景与选题意义 | 第10-11页 |
| 1.2 二维材料的研究现状 | 第11-20页 |
| 1.2.1 石墨烯概述 | 第12-13页 |
| 1.2.2 过渡金属二硫化物概述 | 第13-14页 |
| 1.2.3 二维材料的制备方法 | 第14-19页 |
| 1.2.4 二硒化钨的基本结构和物理性质 | 第19-20页 |
| 1.3 二维过渡金属二硫化物的应用 | 第20-23页 |
| 1.3.1 电学方面的应用 | 第20页 |
| 1.3.2 光学方面的应用 | 第20-21页 |
| 1.3.3 异质结构的应用 | 第21-22页 |
| 1.3.4 传感器的应用 | 第22-23页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 2 二维二硒化钨的制备和光学性质的研究 | 第24-37页 |
| 2.1 基本理论与技术 | 第24-26页 |
| 2.1.1 光学性能表征所需仪器及原理简介 | 第24-25页 |
| 2.1.2 时间分辨泵浦探测技术 | 第25-26页 |
| 2.2 二维二硒化钨的制备及层数表征 | 第26-31页 |
| 2.2.1 实验所需原料 | 第26-28页 |
| 2.2.2 二维二硒化钨样品制备 | 第28-29页 |
| 2.2.3 二维二硒化钨样品的筛选 | 第29-31页 |
| 2.3 二硒化钨光学性质的研究 | 第31-36页 |
| 2.3.1 二维二硒化钨结构分析 | 第31-33页 |
| 2.3.2 二维二硒化钨光致发光特性 | 第33-34页 |
| 2.3.3 单层二硒化钨激子的寿命 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 3 二维二硒化钨场效应晶体管电学性质的研究 | 第37-44页 |
| 3.1 场效应晶体管简介 | 第37-40页 |
| 3.1.1 场效应晶体管的结构 | 第37-38页 |
| 3.1.2 场效应晶体管的工作原理 | 第38-39页 |
| 3.1.3 场效应晶体管的性能参数 | 第39-40页 |
| 3.2 二维二硒化钨场效应晶体管的制备 | 第40-41页 |
| 3.3 场效应晶体管电学性能的研究 | 第41-43页 |
| 3.3.1 载流子迁移率 | 第42页 |
| 3.3.2 开关比 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 4 结论 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-47页 |
| 作者简历 | 第47-49页 |
| 学位论文数据集 | 第49页 |
