| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 研究概述 | 第10-14页 |
| 1.1 单光子探测器的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 单光子探测器的标定现状及研究意义 | 第11-14页 |
| 第二章 APD单光子探测技术 | 第14-18页 |
| 2.1 基于APD的单光子探测器的探测原理 | 第14页 |
| 2.2 基于APD的单光子探测器的性能参数 | 第14-16页 |
| 2.3 APD雪崩抑制技术 | 第16-17页 |
| 2.4 小结 | 第17-18页 |
| 第三章 基于FPGA的单光子雪崩二级管标定系统 | 第18-37页 |
| 3.1 标定系统的结构 | 第18-29页 |
| 3.1.1 FPGA控制模块 | 第19-24页 |
| 3.1.2 APD外围电路 | 第24-27页 |
| 3.1.3 标定光源 | 第27-28页 |
| 3.1.4 APD温度控制模块 | 第28-29页 |
| 3.2 标定系统软件设计 | 第29-32页 |
| 3.2.1 基于可视化界面LabVIEW的测试程序 | 第29-32页 |
| 3.3 标定方法 | 第32-35页 |
| 3.3.1 探测效率的标定方法 | 第32-33页 |
| 3.3.2 暗计数的标定方法 | 第33-34页 |
| 3.3.3 时间抖动的标定方法 | 第34-35页 |
| 3.3.4 后脉冲的标定方法 | 第35页 |
| 3.4 小结 | 第35-37页 |
| 第四章 基于FPGA的单光子雪崩二极管标定系统的应用 | 第37-44页 |
| 4.1 单光子硅雪崩二极管(SiAPD)的性能标定 | 第37-40页 |
| 4.1.1 SiAPD单光子探测器探测原理 | 第37-38页 |
| 4.1.2 基于SiAPD的单光子探测器性能标定 | 第38-40页 |
| 4.2 单光子铟镓鉮/铟磷雪崩二极管(InGaAs/InPAPD)的性能标定 | 第40-43页 |
| 4.2.1 InGaAs/InPAPD单光子探测器探测电路原理 | 第41页 |
| 4.2.2 InGaAs/InPAPD单光子探测器性能标定 | 第41-43页 |
| 4.3 小结 | 第43-44页 |
| 第五章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第44页 |
| 5.2 展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-49页 |
| 硕士期间成果与奖励 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50页 |
