| 摘要 | 第3-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 1.1 研究背景和现状 | 第11-12页 |
| 1.2 本文的主要工作 | 第12-13页 |
| 第二章 氢化纳米硅薄膜的基本知识、制备和表征 | 第13-29页 |
| 2.1 硅材料及氢化纳米硅薄膜 | 第13-15页 |
| 2.1.1 单晶硅(c-Si) | 第13-14页 |
| 2.1.2 非晶硅(a-Si) | 第14页 |
| 2.1.3 氢化纳米硅(nc-Si:H) | 第14-15页 |
| 2.1.4 其他单晶硅和非晶硅混相硅材料 | 第15页 |
| 2.2 纳米硅薄膜的制备方法 | 第15-21页 |
| 2.2.1 物理沉积方法 | 第16-18页 |
| 2.2.2 化学气相沉积 | 第18-21页 |
| 2.3 分析研究纳米硅薄膜物性的方法简介 | 第21-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第三章 nc-Si:H薄膜的应用及太阳电池的发展 | 第29-48页 |
| 3.1 nc-Si:H薄膜的特性及其在光电器件方面的应用 | 第29-32页 |
| 3.2 太阳电池的发展现状及展望 | 第32-41页 |
| 3.2.1 太阳电池的特点和优势 | 第34-35页 |
| 3.2.2 三代太阳电池 | 第35-36页 |
| 3.2.3 太阳电池的分类 | 第36页 |
| 3.2.4 太阳电池的研究发展及产业化应用 | 第36-41页 |
| 3.3 各类硅基太阳电池 | 第41-45页 |
| 3.3.1 晶体硅太阳电池 | 第41-42页 |
| 3.3.2 硅薄膜太阳电池 | 第42-43页 |
| 3.3.3 第三代微晶硅/纳米硅以及硅叠层电池 | 第43-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-48页 |
| 第四章 Raman面扫描手段研究nc-Si:H薄膜的均匀性 | 第48-67页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 拉曼(Raman)散射的综述和分析模型 | 第48-56页 |
| 4.2.1 拉曼散射的概念及特点 | 第49-50页 |
| 4.2.2 纳米硅薄膜的拉曼光谱及三维声子限制模型 | 第50-53页 |
| 4.2.3 拉曼光谱技术的分类 | 第53-54页 |
| 4.2.4 纳米硅结构实验用拉曼光谱仪 | 第54-56页 |
| 4.3 样品的制备和实验条件 | 第56-57页 |
| 4.4 Raman面扫描结果的分析及讨论 | 第57-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 利用光致发光谱探究nc-Si:H薄膜的带隙调控 | 第67-85页 |
| 5.1 引言 | 第67-68页 |
| 5.2 光致发光(PL)谱的原理及模型 | 第68-77页 |
| 5.2.1 光致发光的原理 | 第69-70页 |
| 5.2.2 纳米硅或多孔硅的发光机制及模型 | 第70-77页 |
| 5.3 样品制备与实验 | 第77-78页 |
| 5.4 PL光谱的结果分析及讨论 | 第78-83页 |
| 5.5 本章小结 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-85页 |
| 第六章 总结 | 第85-87页 |
| 6.1 本文的主要结论和创新点 | 第85-86页 |
| 6.2 下一步的工作及展望 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-88页 |
| 攻读硕士学位期间已发表的论文 | 第88页 |
| 攻读硕士学位期间获得的奖励 | 第88-89页 |
| 上海交通大学硕士学位论文答辩决议书 | 第89-91页 |
