Sip/Al复合材料的放电等离子烧结及其热性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 电子封装材料的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.2.1 Invar、Kovar合金 | 第10-11页 |
| 1.2.2 W-Cu、Cu-Mo复合材料 | 第11-12页 |
| 1.2.3 Al-SiC复合材料 | 第12-13页 |
| 1.2.4 Al-Si复合材料 | 第13-14页 |
| 1.3 Al-Si电子封装材料的制备技术 | 第14-20页 |
| 1.3.1 喷射沉积 | 第14-16页 |
| 1.3.2 熔渗法 | 第16-18页 |
| 1.3.3 搅拌铸造法 | 第18页 |
| 1.3.4 粉末冶金法 | 第18-20页 |
| 1.4 本论文工作的提出、研究目的和主要内容 | 第20-22页 |
| 第2章 实验与测试 | 第22-28页 |
| 2.1 实验原料 | 第22-23页 |
| 2.2 实验设备 | 第23-25页 |
| 2.3 实验设计与工艺过程 | 第25-26页 |
| 2.4 测试方法 | 第26-28页 |
| 2.4.1 物相分析 | 第26页 |
| 2.4.2 密度测试 | 第26页 |
| 2.4.3 成分分析 | 第26-27页 |
| 2.4.4 形貌及金相分析 | 第27页 |
| 2.4.5 热性能测试 | 第27-28页 |
| 第3章 Si_p/Al复合材料的SPS烧结 | 第28-46页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 低硅含量的Si_p/Al复合材料的制备 | 第28-40页 |
| 3.2.1 烧结温度的影响 | 第29-35页 |
| 3.2.1.1 烧结温度对材料致密度的影响 | 第29-30页 |
| 3.2.1.2 烧结温度对材料物相的影响 | 第30-32页 |
| 3.2.1.3 烧结温度对显微结构的影响 | 第32-35页 |
| 3.2.2 烧结压力的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.2.1 烧结压力对致密度的影响 | 第35-36页 |
| 3.2.2.2 烧结压力对材料物相的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.2.3 烧结压力对材料显微结构的影响 | 第37页 |
| 3.2.3 保温时间的影响 | 第37-40页 |
| 3.2.3.1 保温时间对材料致密度的影响 | 第37-39页 |
| 3.2.3.2 保温时间对材料物相的影响 | 第39页 |
| 3.2.3.3 保温时间对材料显微结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 高硅含量的Si_p/Al复合材料的制备 | 第40-42页 |
| 3.4 Si_p/Al复合材料的致密化机制探讨 | 第42-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 Si_p/Al复合材料的热性能及其调控 | 第46-63页 |
| 4.1 引言 | 第46页 |
| 4.2 Si_p/Al复合材料的热性能 | 第46-53页 |
| 4.2.1 热膨胀系数 | 第46-51页 |
| 4.2.1.1 硅含量对热膨胀系数的影响 | 第46-49页 |
| 4.2.1.2 硅颗粒尺寸对热膨胀系数的影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 热导率 | 第51-53页 |
| 4.2.2.1 硅含量对热导率的影响 | 第51-52页 |
| 4.2.2.2 硅颗粒尺寸对热导率的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 Si_p/Al材料热性能的调控 | 第53-61页 |
| 4.3.1 烧结温度的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.1.1 烧结温度对热膨胀的影响 | 第53-55页 |
| 4.3.1.2 烧结温度对热导率的影响 | 第55页 |
| 4.3.2 烧结压力的影响 | 第55-57页 |
| 4.3.2.1 烧结压力对热膨胀的影响 | 第55-56页 |
| 4.3.2.2 烧结压力对热导率的影响 | 第56-57页 |
| 4.3.3 退火处理对热导率的影响 | 第57-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第5章 总结 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第70页 |
