| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 专用术语注释表 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9-11页 |
| 1.2 有机二极管存储器基础 | 第11-14页 |
| 1.2.1 存储器的分类 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机二极管存储器的常见结构 | 第12-13页 |
| 1.2.3 有机二极管存储器的性能参数 | 第13-14页 |
| 1.3 解决串扰问题的常见有机二极管存储器件结构 | 第14-18页 |
| 1.3.1 1D1R结构 | 第14-15页 |
| 1.3.2 自整流有机二极管存储器件结构 | 第15-18页 |
| 1.4 本论文的主要工作与意义 | 第18-20页 |
| 第二章 LiF缓冲层对基于CuPc二极管存储器性能影响研究 | 第20-43页 |
| 2.1 引言 | 第20-21页 |
| 2.2 基于CuPc二极管电存储器件制备 | 第21-26页 |
| 2.2.1 基于CuPc的二极管电存储器件电存储特性 | 第22页 |
| 2.2.2 引入阳极缓冲层的CuPc二极管电存储器件电存储特性 | 第22-26页 |
| 2.3 缓冲层与活性层厚度对器件性能影响研究 | 第26-33页 |
| 2.3.1 活性层厚度影响 | 第26-28页 |
| 2.3.2 缓冲层厚度影响 | 第28-29页 |
| 2.3.3 器件形貌表征 | 第29-33页 |
| 2.4 缓冲层位置和材料影响 | 第33-36页 |
| 2.4.1 缓冲层位置影响 | 第33-34页 |
| 2.4.2 缓冲层材料影响 | 第34-35页 |
| 2.4.3 活性层材料影响 | 第35-36页 |
| 2.5 器件性能机制探索分析 | 第36-42页 |
| 2.6 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 LiF缓冲层对基于CuPc/F_(16)CuPc构成的异质结二极管存储器性能影响研究 | 第43-57页 |
| 3.1 引言 | 第43-44页 |
| 3.2 基于CuPc/F_(16)CuPc异质结结构二极管电存储器件制备 | 第44-45页 |
| 3.3 基于CuPc/F_(16)CuPc异质结结构的二极管电存储器件电存储特性 | 第45-48页 |
| 3.3.1 不同铝电极形状结构实验 | 第45-46页 |
| 3.3.2 不同活性层厚度实验 | 第46-48页 |
| 3.4 引入LiF缓冲层的CuPc/F_(16)CuPc异质结结构二极管电存储器件电存储特性 | 第48-53页 |
| 3.4.1 电学测试扫描方向影响 | 第49-52页 |
| 3.4.2 外在电场对器件性能影响 | 第52-53页 |
| 3.5 缓冲层的各因素对器件性能影响 | 第53-56页 |
| 3.5.1 缓冲层厚度因素影响 | 第53-54页 |
| 3.5.2 缓冲层位置因素影响 | 第54-55页 |
| 3.5.3 活性层材料因素影响 | 第55-56页 |
| 3.6 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 LiF缓冲层对基于CuPc的多层结构二极管存储器性能影响研究 | 第57-67页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 二极管多层结构存储器件ITO/LiF/CuPc/F_(16)CuPc/CuPc/Al制备与电学性能研究 | 第58-62页 |
| 4.3 二极管多层结构存储器件ITO/LiF/CuPc/F_(16)CuPc/Pentacene/Al制备与电学性能研究 | 第62-64页 |
| 4.4 二极管多层结构存储器件ITO/LiF/CuPc/F_(16)CuPc/MoO_3/Al制备与电学性能研究 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第73-74页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
