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SnS2、铋系光催化材料的表界面调控及其光催化降解污染物性能增强的研究

摘要第5-7页
Abstract第7-9页
第一章 绪论第13-36页
    1.1 前言第13页
    1.2 光催化技术的基本原理及应用第13-18页
        1.2.1 光催化技术的基本原理第13-14页
        1.2.2 光催化技术的应用第14-18页
    1.3 半导体光催化材料的改性第18-26页
        1.3.1 离子掺杂第18-19页
        1.3.2 贵金属沉积第19-20页
        1.3.3 半导体复合第20-23页
        1.3.4 晶面调控第23-26页
    1.4 新型光催化材料研究现状第26-32页
        1.4.1 铋系光催化材料第26-30页
        1.4.2 金属硫化物光催化材料第30-32页
    1.5 本论文的选题依据和研究内容第32-36页
        1.5.1 选题依据第32-34页
        1.5.2 研究内容第34-36页
第二章 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的可控制备及其可见光催化性能研究第36-58页
    2.1 引言第36-37页
    2.2 实验部分第37-41页
        2.2.1 实验试剂及仪器第37-38页
        2.2.2 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的制备第38-40页
        2.2.3 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的表征第40页
        2.2.4 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的可见光催化降解实验第40-41页
    2.3 结果与讨论第41-57页
        2.3.1 物相分析第41-44页
        2.3.2 形貌分析第44-45页
        2.3.3 UV-Vis DRS分析第45-46页
        2.3.4 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的可见光催化性能第46-51页
        2.3.5 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂生长机理第51-55页
        2.3.6 Bi_(12)GeO_(20)光催化剂的可见光催化机理第55-57页
    2.4 小结第57-58页
第三章 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化材料的制备及其可见光催化活性研究第58-76页
    3.1 引言第58-59页
    3.2 实验部分第59-62页
        3.2.1 实验试剂及仪器第59-60页
        3.2.2 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的制备第60-61页
        3.2.3 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的表征第61页
        3.2.4 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的可见光催化实验第61-62页
    3.3 结果与讨论第62-74页
        3.3.1 物相分析第62-65页
        3.3.2 形貌分析第65-66页
        3.3.3 FT-IR分析第66-67页
        3.3.4 UV-Vis DRS分析第67-68页
        3.3.5 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的可见光催化氧化性能第68-70页
        3.3.6 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的可见光催化还原性能第70-71页
        3.3.7 Bi_(12)GeO_(20)/g-C_3N_4复合光催化剂的可见光催化反应机理第71-74页
    3.4 小结第74-76页
第四章 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的制备及其可见光催化性能的晶面依赖性研究第76-99页
    4.1 引言第76-77页
    4.2 实验部分第77-80页
        4.2.1 实验试剂及仪器第77-78页
        4.2.2 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的制备第78-79页
        4.2.3 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的表征第79页
        4.2.4 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的可见光催化降解实验第79-80页
    4.3 结果与讨论第80-97页
        4.3.1 物相分析第80-83页
        4.3.2 形貌分析第83-86页
        4.3.3 N2吸附-脱附等温线分析第86-87页
        4.3.4 UV-Vis DRS分析第87页
        4.3.5 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的可见光催化性能第87-92页
        4.3.6 Bi_2SiO_5/AgI复合光催化剂的可见光催化反应机理第92-97页
    4.4 小结第97-99页
第五章 暴露{001}晶面SnS_2纳米片的制备及其可见光催化性能的晶面依赖性研究第99-113页
    5.1 引言第99-100页
    5.2 实验部分第100-102页
        5.2.1 实验试剂及仪器第100-101页
        5.2.2 光催化材料的制备第101页
        5.2.3 光催化材料的表征第101页
        5.2.4 光催化实验第101-102页
    5.3 结果与讨论第102-111页
        5.3.1 物相分析第102-105页
        5.3.2 形貌分析第105-106页
        5.3.3 UV-Vis DRS分析第106-107页
        5.3.4 暴露{001}晶面的SnS_2纳米片的可见光催化氧化性能第107-109页
        5.3.5 暴露{001}晶面的SnS_2纳米片的可见光催化还原性能第109-110页
        5.3.6 暴露{001}晶面的SnS_2纳米片的可见光催化反应机理第110-111页
    5.4 小结第111-113页
第六章 结论与展望第113-116页
    6.1 结论第113-115页
    6.2 创新点第115页
    6.3 展望第115-116页
参考文献第116-133页
致谢(一)第133-134页
致谢(二)第134-135页
攻读学位期间发表论文第135页

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