| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题背景与研究意义 | 第11-13页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第13-16页 |
| 1.3 论文研究方法及结构安排 | 第16-18页 |
| 第二章 光伏型线阵碲镉汞探测器工作原理 | 第18-24页 |
| 2.1 光敏芯片的基本结构 | 第18-19页 |
| 2.2 光敏元阵列的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.3 读出电路结构及工作原理 | 第21-24页 |
| 第三章 线阵碲镉汞探测器光致反常现象研究 | 第24-41页 |
| 3.1 过饱和压降及零压输出现象实验研究 | 第24-30页 |
| 3.1.1 实验器件简介 | 第24-25页 |
| 3.1.2 实验方案 | 第25-28页 |
| 3.1.3 实验结果 | 第28-30页 |
| 3.2 过饱和压降及零压输出现象机理研究 | 第30-35页 |
| 3.2.1 探测器输出信号饱和机理分析 | 第30-33页 |
| 3.2.2 过饱和压降和零压输出现象分析 | 第33-35页 |
| 3.3 致损单元反常响应的实验研究 | 第35-36页 |
| 3.3.1 实验方案 | 第35页 |
| 3.3.2 实验结果 | 第35-36页 |
| 3.4 致损单元反常响应机理研究 | 第36-39页 |
| 3.4.1 P极等效串联电阻的变化对致损单元反常响应输出的影响 | 第36-38页 |
| 3.4.2 耗尽层电阻变化对致损单元反常响应输出的影响 | 第38-39页 |
| 3.5 致损单元光谱敏感区蓝移现象的机理研究 | 第39-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 碲镉汞探测器光致闩锁效应研究 | 第41-52页 |
| 4.1 实验方案与器件简介 | 第41页 |
| 4.2 典型实验结果 | 第41-42页 |
| 4.3 闩锁效应的触发机理研究 | 第42-47页 |
| 4.3.1 光敏元阵列中可控硅结构的分析 | 第42-43页 |
| 4.3.2 读出电路中可控硅结构分分析 | 第43-47页 |
| 4.4 闩锁的防护 | 第47-50页 |
| 4.4.1 光敏元的闩锁效应防护 | 第47-48页 |
| 4.4.2 读出电路的闩锁效应防护 | 第48-50页 |
| 4.5 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第60页 |