| 本文的创新点 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 引言 | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-34页 |
| 1.1 Zn0的基本知识 | 第17-25页 |
| 1.1.1 Zn0的基本特征 | 第17-18页 |
| 1.1.2 Zn0的缺陷结构 | 第18-22页 |
| 1.1.3 Zn0的光学性能 | 第22-24页 |
| 1.1.4 ZnO的电学性能 | 第24-25页 |
| 1.2 掺杂的种类 | 第25-32页 |
| 1.2.1 固相烧结 | 第25-26页 |
| 1.2.2 离子注入 | 第26-32页 |
| 1.3 本文的选题目的及意义 | 第32-34页 |
| 第二章 实验表征方法 | 第34-52页 |
| 2.1 正电子湮没谱学基本原理 | 第34-37页 |
| 2.1.1 正电子源 | 第34-35页 |
| 2.1.2 正电子与固体的相互作用及湮没过程 | 第35-37页 |
| 2.2 正电子湮没测量技术 | 第37-47页 |
| 2.2.1 正电子湮没寿命谱测量 | 第37-39页 |
| 2.2.2 正电子湮没辐射多普勒展宽测量 | 第39-43页 |
| 2.2.3 慢正电子束技术 | 第43-45页 |
| 2.2.4 正电子湮没在半导体缺陷中的应用 | 第45-47页 |
| 2.3 X射线衍射 | 第47-48页 |
| 2.4 透射电子显微镜 | 第48-49页 |
| 2.5 拉曼光谱 | 第49-50页 |
| 2.6 光致发光谱 | 第50页 |
| 2.7 霍尔效应 | 第50-52页 |
| 第三章 高温退火对ZnO单晶缺陷和光学性能的影响 | 第52-61页 |
| 引言 | 第52-53页 |
| 3.1 样品的制备与表征 | 第53页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第53-60页 |
| 3.2.1 正电子湮没谱结果 | 第53-57页 |
| 3.2.2 霍尔效应分析 | 第57-58页 |
| 3.2.3 阴极荧光谱分析 | 第58-60页 |
| 3.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 Si~+离子注入ZnO单晶的非晶化研究 | 第61-75页 |
| 引言 | 第61-62页 |
| 4.1 样品制备与表征 | 第62-63页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第63-73页 |
| 4.2.1 XRD结果分析 | 第63-64页 |
| 4.2.2 慢正电子束测量结果分析 | 第64-69页 |
| 4.2.3 拉曼光谱结果分析 | 第69-71页 |
| 4.2.4 光致发光结果分析 | 第71-72页 |
| 4.2.5 透射电子显微镜结果分析 | 第72-73页 |
| 4.3 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 C~+离子注入ZnO单晶产生的缺陷和受主能级 | 第75-85页 |
| 引言 | 第75-76页 |
| 5.1 样品制备与表征 | 第76-77页 |
| 5.2 结果与分析 | 第77-84页 |
| 5.2.1 XRD结果分析 | 第77-78页 |
| 5.2.2 慢正电子束测量结果分析 | 第78-79页 |
| 5.2.3 拉曼光谱结果分析 | 第79-81页 |
| 5.2.4 光致发光结果分析 | 第81-84页 |
| 5.3 本章小结 | 第84-85页 |
| 第六章 ZnO中Li掺杂对缺陷的影响 | 第85-98页 |
| 引言 | 第85-86页 |
| 6.1 样品的制备与表征 | 第86页 |
| 6.2 计算方法 | 第86-87页 |
| 6.3 结果与分析 | 第87-96页 |
| 6.3.1 XRD表征 | 第87-90页 |
| 6.3.2 正电子湮没测量 | 第90-93页 |
| 6.3.3 计算结果 | 第93-95页 |
| 6.3.4 拉曼光谱结果分析 | 第95-96页 |
| 6.4 本章小结 | 第96-98页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第98-100页 |
| 7.1 主要结论 | 第98-99页 |
| 7.2 研究中存在的问题与展望 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-111页 |
| 攻读博士期间发表科研成果 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |