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16位100MSPS流水线ADC关键电路和数字校准技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-17页
第一章 绪论第17-21页
    1.1 研究背景第17-18页
    1.2 国内外研究现状第18-19页
    1.3 论文的结构安排第19-21页
第二章 流水线ADC非理想因素分析第21-43页
    2.1 基本工作原理第21-24页
        2.1.1 基本结构第21-23页
        2.1.2 工作原理第23-24页
    2.2 运放非理想效应的影响第24-30页
        2.2.1 运放有限增益的影响第24-26页
        2.2.2 运放有限带宽的影响第26-27页
        2.2.3 运放增益非线性的影响第27-30页
    2.3 DAC电容失配的影响第30-33页
    2.4 时钟抖动和失配的影响第33-39页
        2.4.1 时钟抖动对ADC性能的影响第33-35页
        2.4.2 Sub-ADC和MDAC失配误差的影响第35-39页
    2.5 噪声的影响第39-42页
        2.5.1 k T/C噪声第39-40页
        2.5.2 放大相运放中的噪声第40-42页
    2.6 小结第42-43页
第三章 流水线ADC关键电路和数字校准技术第43-83页
    3.1 系统结构第43-55页
        3.1.1 各级采样电容和位数的确定第43-49页
        3.1.2 流水线ADC的系统结构第49-50页
        3.1.3 各级MDAC电路的设计第50-55页
    3.2 运放的设计第55-67页
        3.2.1 高性能运放结构分析第56-57页
        3.2.2 多级运放设计的概述第57-58页
        3.2.3 三级RMRIC运放的分析第58-63页
        3.2.4 CMFB的分析第63-65页
        3.2.5 各级运放指标的确定第65-66页
        3.2.6 三级RMRIC运放的实现第66-67页
    3.3 比较器的设计第67-69页
    3.4 数字校准电路的原理与设计第69-81页
        3.4.1 数字后台校准算法的分类第69-70页
        3.4.2 基于比较器抖动的高量化位数统计型校准算法第70-72页
        3.4.3 电容失配的校准第72-76页
        3.4.4 一阶增益误差的校准第76-78页
        3.4.5 非线性误差的校准第78-81页
    3.5 小结第81-83页
第四章 关键电路和数字校准的仿真验证第83-97页
    4.1 三级低压RMRIC运放的仿真与验证第83-86页
    4.2 比较器的仿真与验证第86-87页
    4.3 MDAC电路的仿真与验证第87-89页
    4.4 整体ADC的仿真及性能分析第89-95页
        4.4.1 整体ADC电路的版图与布局第89-90页
        4.4.2 未校准前整体ADC的性能第90-91页
        4.4.3 校准之后整体ADC的性能第91-94页
        4.4.4 ADC的性能比较第94-95页
    4.5 小结第95-97页
第五章 总结与展望第97-99页
    5.1 总结第97-98页
    5.2 展望第98-99页
参考文献第99-105页
致谢第105-107页
作者简介第107-108页

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