| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 反型QLED器件发光机制及性能参数 | 第10-17页 |
| 1.2.1 反型QLED发展进程 | 第10-12页 |
| 1.2.2 反型QLED器件发光机制 | 第12-13页 |
| 1.2.3 反型QLED器件主要性能参数 | 第13-14页 |
| 1.2.4 QLED出光增强 | 第14-17页 |
| 1.3 微纳图案化结构的构造技术 | 第17-22页 |
| 1.3.1 蘸笔印刷技术 | 第17-18页 |
| 1.3.2 光刻技术 | 第18-19页 |
| 1.3.3 纳米球刻蚀技术 | 第19-21页 |
| 1.3.4 纳米压印技术 | 第21-22页 |
| 1.4 选题意义及主要研究内容 | 第22-26页 |
| 1.4.1 目前存在的主要问题 | 第22-23页 |
| 1.4.2 主要思路和研究内容 | 第23-26页 |
| 第二章 ALD制备ZnO及其性能研究 | 第26-36页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 实验部分 | 第27-30页 |
| 2.2.1 试剂和仪器 | 第27-28页 |
| 2.2.2 ALD生长ZnO薄膜机理 | 第28页 |
| 2.2.3 实验过程 | 第28-30页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第30-35页 |
| 2.3.1 同一温度不同循环下沉积ZnO薄膜的SEM表征 | 第30页 |
| 2.3.2 同一温度不同循环下沉积ZnO薄膜光学性能表征 | 第30-31页 |
| 2.3.3 600 cycle下不同温度沉积的ZnO的SEM表征 | 第31-32页 |
| 2.3.4 600 cycle下不同温度沉积的ZnO的AFM表征 | 第32-33页 |
| 2.3.5 600 cycle下不同温度沉积的ZnO薄膜电学性能表征 | 第33-34页 |
| 2.3.6 600 cycle下不同温度沉积的ZnO薄膜光学性能表征 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 基于纳米压印结合ICP刻蚀技术制备图案化ZnO | 第36-48页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 实验部分 | 第37-39页 |
| 3.2.1 试剂和仪器 | 第37页 |
| 3.2.2 实验过程 | 第37-39页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第39-46页 |
| 3.3.1 PDMS模板及构筑的一维纳米图形形貌表征 | 第39-40页 |
| 3.3.2 二维纳米图形形貌表征 | 第40-42页 |
| 3.3.3 图案化石英基底的表征 | 第42-44页 |
| 3.3.4 图案化ZnO薄膜的表征 | 第44-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 图案化ZnO提高反型QLED出光效率 | 第48-56页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 实验部分 | 第49-50页 |
| 4.2.1 试剂和仪器 | 第49页 |
| 4.2.2 实验过程 | 第49-50页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第50-55页 |
| 4.3.1 AFM形貌表征 | 第50-51页 |
| 4.3.2 图案化ZnO应用到反型QLED器件中对各层的成膜性研究 | 第51-52页 |
| 4.3.3 图案化ZnO对器件性能影响 | 第52-53页 |
| 4.3.4 图案化ZnO对器件出光增强分析 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 总结 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-66页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
