| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 量子点发光二极管的研究背景及现状 | 第11-12页 |
| 1.2 量子点发光二极管相关技术的发展与发光原理 | 第12-18页 |
| 1.2.1 量子点合成技术的发展历程 | 第12-14页 |
| 1.2.2 量子点发光二极管发展的重要历程 | 第14-17页 |
| 1.2.3 量子点发光二极管的结构及其发光原理 | 第17-18页 |
| 1.3 NiO作为QLEDs的空穴注入层 | 第18-23页 |
| 1.3.1 NiO纳米晶的物理化学性质 | 第19-20页 |
| 1.3.2 NiO纳米晶的合成方法 | 第20-21页 |
| 1.3.3 NiO纳米晶薄膜的制备方法 | 第21页 |
| 1.3.4 NiO作为QLEDs的空穴注入层的发展历程 | 第21-23页 |
| 1.4 目前存在的问题 | 第23-24页 |
| 1.5 本文的研究思路及主要内容 | 第24-25页 |
| 1.5.1 本论文的研究思路 | 第24页 |
| 1.5.2 本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 CdSe@ZnS绿光合金量子点的合成与表征 | 第25-40页 |
| 2.1 引言 | 第25-26页 |
| 2.2 CdSe@ZnS绿光合金量子点的实验 | 第26-28页 |
| 2.2.1 CdSe@ZnS绿光合金量子点的实验装置与药品 | 第26-28页 |
| 2.2.2 CdSe@ZnS绿光合金量子点的合成方法 | 第28页 |
| 2.3 CdSe@ZnS绿光合金量子点的结构和性能的表征 | 第28-36页 |
| 2.3.1 CdSe@ZnS绿光合金量子点的形貌与粒径表征 | 第29-31页 |
| 2.3.2 CdSe@ZnS绿光合金量子点的成分表征 | 第31-33页 |
| 2.3.3 CdSe@ZnS绿光合金量子点的能级表征 | 第33-35页 |
| 2.3.4 CdSe@ZnS绿光合金量子点的光谱表征 | 第35-36页 |
| 2.4 CdSe@ZnS绿光量子点与红蓝量子点的对比表征 | 第36-39页 |
| 2.4.1 CdSe@ZnS绿光量子点与红蓝量子点的形貌与粒径对比 | 第36-37页 |
| 2.4.2 CdSe@ZnS绿光合金量子点与红蓝量子点的光谱对比 | 第37-39页 |
| 2.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第三章 NiO纳米晶的合成与表征 | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 实验步骤和表征仪器 | 第41页 |
| 3.2.1 实验装置与药品 | 第41页 |
| 3.2.2 NiO纳米晶的合成方法 | 第41页 |
| 3.3 NiO纳米晶结构和性能的表征 | 第41-51页 |
| 3.3.1 NiO纳米晶的形貌与粒径表征 | 第42-44页 |
| 3.3.2 不同反应条件对NiO纳米晶的影响 | 第44-46页 |
| 3.3.3 NiO纳米晶的成分表征 | 第46-47页 |
| 3.3.4 NiO纳米晶的能级位置的表征 | 第47-48页 |
| 3.3.5 NiO纳米晶的光谱表征 | 第48-49页 |
| 3.3.6 NiO纳米晶的薄膜表征 | 第49-50页 |
| 3.3.7 NiO和PEDOT:PSS作为空穴注入层的性能比较 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 量子点发光二极管的构筑与表征 | 第52-62页 |
| 4.1 引言 | 第52-53页 |
| 4.2 QLEDs器件的实验材料和构筑方法 | 第53-55页 |
| 4.2.1 QLEDs器件的实验材料 | 第53-54页 |
| 4.2.2 QLEDs器件的构筑方法 | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-61页 |
| 4.3.1 NiO作为空穴注入层的绿光QLEDs器件的紫外电子能谱表征图 | 第55-57页 |
| 4.3.2 绿光QLEDs器件与红蓝QLEDs器件的对比表征 | 第57-59页 |
| 4.3.3 不同空穴注入层的绿光QLEDs器件的对比表征 | 第59-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 总结与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
