| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 含铋发光材料研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 含铋发光材料的分类与机理讨论 | 第11-23页 |
| 1.3.1 可见发光中心及主要基质材料 | 第11-16页 |
| 1.3.2 近红外发光中心及主要基质材料 | 第16-22页 |
| 1.3.3 含铋发光材料的研究中存在问题及研究展望 | 第22-23页 |
| 1.4 局域规整反应在探索新型材料中的应用 | 第23-28页 |
| 1.4.1 局域规整反应 | 第23-24页 |
| 1.4.2 金属氢化物作为介质制备新型材料的应用 | 第24-26页 |
| 1.4.3 局域规整反应调控含铋发光材料的可行性分析 | 第26-28页 |
| 1.5 本文工作介绍 | 第28-29页 |
| 第二章 实验内容与方法 | 第29-35页 |
| 2.1 实验原料与仪器 | 第29-30页 |
| 2.2 样品制备及处理工艺 | 第30-31页 |
| 2.3 测试表征方法 | 第31-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 局域规整反应调控Y_2O_3:Bi~(3+)发光材料 | 第35-54页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验内容 | 第35-36页 |
| 3.2.1 合成Y_2O_3:Bi | 第35页 |
| 3.2.2 还原Y_2O_3:Bi | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-53页 |
| 3.3.1 化学组成及微观结构分析 | 第36-40页 |
| 3.3.2 Bi局域环境及平均氧化态分析 | 第40-46页 |
| 3.3.3 光学性质的研究 | 第46-51页 |
| 3.3.4 局域规整反应对Bi~(3+)发光材料的普适性研究 | 第51-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 BaBPO_5:Bi~(2+)的发光调制及Bi局域结构解析 | 第54-69页 |
| 4.1 引言 | 第54页 |
| 4.2 实验内容 | 第54-55页 |
| 4.2.1 合成BaBPO_5:Bi | 第54页 |
| 4.2.2 还原BaBPO_5:Bi | 第54-55页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第55-67页 |
| 4.3.1 化学组成及微观结构分析 | 第55-59页 |
| 4.3.2 Bi局域环境及平均氧化态分析 | 第59-63页 |
| 4.3.3 光学性质的研究 | 第63-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 全文总结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-79页 |
| 攻读学位期间所发表的学术论文和专利情况 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
