| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·超导体的发展历史 | 第10-11页 |
| ·超导体的主要性质 | 第11-12页 |
| ·零电阻效应 | 第11页 |
| ·迈斯纳效应 | 第11-12页 |
| ·高温超导YBCO 薄膜的应用 | 第12-13页 |
| ·弱电应用 | 第12页 |
| ·强电应用 | 第12-13页 |
| ·高温超导体YBCO 结构以及其特性 | 第13-15页 |
| ·YBCO 薄膜的制备方法及衬底的选择 | 第15-19页 |
| ·YBCO 薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| ·衬底的选择 | 第17-19页 |
| ·高温超导YBCO 带材的发展现状 | 第19-21页 |
| ·本论文的研究意义和内容 | 第21-22页 |
| 第二章 YBCO 薄膜的MOCVD 生长方法和表征手段 | 第22-34页 |
| ·MOCVD 的特点与优势 | 第22-23页 |
| ·本论文使用的MOCVD 系统 | 第23-25页 |
| ·气体输运装置 | 第23页 |
| ·蒸发皿装置 | 第23-24页 |
| ·进液系统 | 第24-25页 |
| ·反应室装置 | 第25页 |
| ·YBCO 薄膜制备过程中使用的衬底以及原材料 | 第25-27页 |
| ·衬底材料 | 第25-26页 |
| ·金属有机源 | 第26-27页 |
| ·实验方法与过程 | 第27-29页 |
| ·YBCO 薄膜的表征手段 | 第29-34页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第29-30页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第30-32页 |
| ·临界电流密度（Jc） | 第32-34页 |
| 第三章 在LAO 单晶基底上制备高质量YBCO 薄膜 | 第34-57页 |
| ·进气方式对YBCO 薄膜外延的影响 | 第34-42页 |
| ·温度对YBCO 薄膜质量的影响 | 第42-48页 |
| ·总压强、氧分压与薄膜质量的关系 | 第48-55页 |
| ·总压强对薄膜表面形貌及取向的影响 | 第48-51页 |
| ·氧分压与薄膜取向及表面形貌的关系 | 第51-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第四章 在金属基底上制备YBCO 薄膜初探 | 第57-65页 |
| ·基底缓冲层面外取向对YBCO 薄膜影响 | 第57-60页 |
| ·基底温度对制备YBCO 涂层导体的影响 | 第60-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第72-73页 |