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软磁薄膜巨磁阻抗效应的理论研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第一章 绪论第10-25页
    1.1 巨磁阻抗效应的起源与发展历史第10页
    1.2 巨磁阻抗效应的应用第10-14页
    1.3 GMI效应的理论解释第14-20页
        1.3.1 单层结构材料巨磁阻抗效应的理论分析第14-19页
        1.3.2 多层复合结构材料的巨磁阻抗效应的理论研究第19-20页
    1.4 本论文的工作第20-21页
    参考文献第21-25页
第二章 三明治结构薄膜GMI效应的物理模型及阻抗公式的理论推导第25-42页
    2.1 三明治薄膜的物理模型第25-26页
    2.2 等效磁场第26-28页
    2.3 铁磁层磁畴结构模型第28-29页
    2.4 高频阻抗表达式的推导第29-32页
    2.5 高频磁导率的计算第32-41页
    参考文献第41-42页
第三章 对材料GMI效应的计算模拟第42-59页
    3.1 各向异性等效场的动态分量对有效磁导率的影响第42-49页
        3.1.1 固定交流电流频率,外加纵向静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响第44-45页
        3.1.2 固定纵向外加静磁场,交变电流频率变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。第45-46页
        3.1.3 固定交流电流频率,横向外加静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。第46-47页
        3.1.4 各向异性场方向改变时,其动态分量对有效磁导率造成的影响第47-49页
    3.2 导体层、铁磁层材料的电导率对薄膜GMI效应的影响第49-53页
        3.2.1 导体层的电导率对薄膜GMI效应的影响第49-51页
        3.2.2 磁性层的电导率对薄膜GMI效应的影响第51-53页
    3.3 理论模型与实验结果的比较第53-56页
        3.3.1 FeCuNbSiB单层膜的磁阻抗比理论结果与实验结果的比较第53-55页
        3.3.2 FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三明治膜的磁阻抗比的理论结果与实验结果的比较第55-56页
    本章结论第56-58页
    参考文献第58-59页
第四章 结论第59-61页
附录第61-64页
致谢第64-65页
发表文章目录第65-66页
学位论文评阅及答辩情况表第66页

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