| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-25页 |
| 1.1 巨磁阻抗效应的起源与发展历史 | 第10页 |
| 1.2 巨磁阻抗效应的应用 | 第10-14页 |
| 1.3 GMI效应的理论解释 | 第14-20页 |
| 1.3.1 单层结构材料巨磁阻抗效应的理论分析 | 第14-19页 |
| 1.3.2 多层复合结构材料的巨磁阻抗效应的理论研究 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-25页 |
| 第二章 三明治结构薄膜GMI效应的物理模型及阻抗公式的理论推导 | 第25-42页 |
| 2.1 三明治薄膜的物理模型 | 第25-26页 |
| 2.2 等效磁场 | 第26-28页 |
| 2.3 铁磁层磁畴结构模型 | 第28-29页 |
| 2.4 高频阻抗表达式的推导 | 第29-32页 |
| 2.5 高频磁导率的计算 | 第32-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第三章 对材料GMI效应的计算模拟 | 第42-59页 |
| 3.1 各向异性等效场的动态分量对有效磁导率的影响 | 第42-49页 |
| 3.1.1 固定交流电流频率,外加纵向静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响 | 第44-45页 |
| 3.1.2 固定纵向外加静磁场,交变电流频率变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。 | 第45-46页 |
| 3.1.3 固定交流电流频率,横向外加静磁场变化时,各向异性的动态分量对有效磁导率造成的影响。 | 第46-47页 |
| 3.1.4 各向异性场方向改变时,其动态分量对有效磁导率造成的影响 | 第47-49页 |
| 3.2 导体层、铁磁层材料的电导率对薄膜GMI效应的影响 | 第49-53页 |
| 3.2.1 导体层的电导率对薄膜GMI效应的影响 | 第49-51页 |
| 3.2.2 磁性层的电导率对薄膜GMI效应的影响 | 第51-53页 |
| 3.3 理论模型与实验结果的比较 | 第53-56页 |
| 3.3.1 FeCuNbSiB单层膜的磁阻抗比理论结果与实验结果的比较 | 第53-55页 |
| 3.3.2 FeCuCrVSiB/Ag/FeCuCrVSiB三明治膜的磁阻抗比的理论结果与实验结果的比较 | 第55-56页 |
| 本章结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-61页 |
| 附录 | 第61-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 发表文章目录 | 第65-66页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第66页 |
