| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 引言 | 第16-18页 |
| 2 文献综述 | 第18-48页 |
| 2.1 SiC纳米材料简介 | 第18-28页 |
| 2.1.1 SiC的晶体结构 | 第18-19页 |
| 2.1.2 SiC纳米材料的物理特性及应用 | 第19-21页 |
| 2.1.3 SiC纳米结构的研究进展 | 第21-26页 |
| 2.1.4 SiC纳米结构的掺杂改性 | 第26-28页 |
| 2.2 场发射理论简介及应用 | 第28-35页 |
| 2.2.1 场发射简介 | 第28-30页 |
| 2.2.2 影响场发射的因素 | 第30-31页 |
| 2.2.3 场发射性能的测试与表征 | 第31-32页 |
| 2.2.4 场发射理论的应用 | 第32-35页 |
| 2.3 场发射阴极材料的研究进展 | 第35-48页 |
| 2.3.1 场发射阴极材料的发展 | 第35-36页 |
| 2.3.2 场发射阴极材料的基本要素 | 第36页 |
| 2.3.3 纳米阵列场发射阴极的研究进展 | 第36-48页 |
| 3 研究内容与研究方法 | 第48-54页 |
| 3.1 实验原料和设备 | 第48-50页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第48页 |
| 3.1.2 固化和热解设备 | 第48-50页 |
| 3.2 实验分析测试方法 | 第50-52页 |
| 3.2.1 形貌结构表征方法 | 第50页 |
| 3.2.2 场发射性能表征 | 第50-52页 |
| 3.3 主要研究内容 | 第52-54页 |
| 4 SiC纳米线生长及掺杂 | 第54-66页 |
| 4.1 引言 | 第54-55页 |
| 4.2 实验方案 | 第55页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第55-65页 |
| 4.3.1 SiC纳米线生长 | 第55-59页 |
| 4.3.2 SiC纳米线n型掺杂 | 第59-62页 |
| 4.3.3 SiC纳米线p型掺杂 | 第62-65页 |
| 4.4 小结 | 第65-66页 |
| 5 SiC纳米阵列的生长与结构调控 | 第66-74页 |
| 5.1 引言 | 第66-67页 |
| 5.2 实验方案 | 第67页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第67-72页 |
| 5.3.1 衬底对SiC纳米阵列生长的影响 | 第67-69页 |
| 5.3.2 催化剂对SiC纳米阵列生长的影响 | 第69-70页 |
| 5.3.3 降温速率对SiC纳米阵列生长的影响 | 第70-72页 |
| 5.4 小结 | 第72-74页 |
| 6 n型SiC纳米阵列的制备及其场发射性能 | 第74-90页 |
| 6.1 引言 | 第74-75页 |
| 6.2 实验方案 | 第75-76页 |
| 6.3 实验结果与讨论 | 第76-88页 |
| 6.3.1 n型SiC纳米阵列的形貌及结构表征 | 第76-79页 |
| 6.3.2 n型SiC纳米阵列的场发射性能 | 第79-88页 |
| 6.4 小结 | 第88-90页 |
| 7 SiC纳米阵列的密度调控及其场发射性能 | 第90-100页 |
| 7.1 引言 | 第90-91页 |
| 7.2 实验方案 | 第91页 |
| 7.3 实验结果与讨论 | 第91-98页 |
| 7.3.1 SiC纳米阵列的密度调控及形貌结构表征 | 第91-94页 |
| 7.3.2 SiC纳米阵列密度对其场发射性能的影响 | 第94-98页 |
| 7.4 小结 | 第98-100页 |
| 8 p型SiC纳米阵列的制备及其场发射性能 | 第100-112页 |
| 8.1 引言 | 第100-101页 |
| 8.2 实验方案 | 第101页 |
| 8.3 实验结果与讨论 | 第101-110页 |
| 8.3.1 p型SiC纳米阵列的形貌及结构表征 | 第101-104页 |
| 8.3.2 p型SiC纳米阵列的场发射性能 | 第104-110页 |
| 8.4 小结 | 第110-112页 |
| 9 结论 | 第112-114页 |
| 10 创新点 | 第114-116页 |
| 11 展望 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-134页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第134-138页 |
| 学位论文数据集 | 第138页 |