| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 课题背景与意义 | 第8页 |
| 1.2 硅基耐高温陶瓷材料的研究进展 | 第8-9页 |
| 1.3 辐射测温的研究进展 | 第9-12页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 高温原位光谱测量系统的设计与搭建 | 第13-18页 |
| 2.1 多光谱辐射测温原理 | 第13页 |
| 2.2 高温原位光谱测量系统 | 第13-15页 |
| 2.3 数据处理流程 | 第15-17页 |
| 2.4 本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 材料真温及光谱发射率反演算法研究 | 第18-33页 |
| 3.1 基于牛顿迭代法反演材料真温及发射率 | 第18-27页 |
| 3.1.1 牛顿迭代算法基本原理及模型建立 | 第18-20页 |
| 3.1.2 牛顿迭代法的理论验证 | 第20-26页 |
| 3.1.3 牛顿迭代法的实验验证 | 第26-27页 |
| 3.2 基于发射率缓变特性反演材料真温及发射率 | 第27-32页 |
| 3.2.1 基于发射率缓变特性计算方法基本原理 | 第27-28页 |
| 3.2.2 缓变特性法的理论验证 | 第28-31页 |
| 3.2.3 缓变特性法的实验验证 | 第31-32页 |
| 3.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 硅基陶瓷烧结过程中光谱检测及温度和发射率的反演计算 | 第33-42页 |
| 4.1 SIC材料烧结过程光谱检测及温度与发射率的反演 | 第33-36页 |
| 4.1.1 SiC原位光谱检测及XRD分析 | 第33-34页 |
| 4.1.2 温度反演结果 | 第34-35页 |
| 4.1.3 发射率反演结果 | 第35-36页 |
| 4.2 SI_3N_4材料烧结过程光谱检测及温度与发射率的反演 | 第36-39页 |
| 4.2.1 Si_3N_4原位光谱检测及XRD分析 | 第36-37页 |
| 4.2.2 温度反演结果 | 第37-38页 |
| 4.2.3 发射率反演结果 | 第38-39页 |
| 4.3 SIO_2材料烧结过程光谱检测及温度与发射率的反演 | 第39-41页 |
| 4.3.1 SiO_2原位光谱检测及XRD分析 | 第39-40页 |
| 4.3.2 温度反演结果 | 第40页 |
| 4.3.3 发射率反演结果 | 第40-41页 |
| 4.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 结论 | 第42-44页 |
| 致谢 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-48页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第48页 |
