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双脉冲电场伏安特性对纯Ti薄膜结构及性能的影响

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
1 绪论第9-21页
    1.1 引言第9页
    1.2 磁控溅射离子镀理论基础第9-11页
        1.2.1 溅射镀膜的理论基础第9-10页
        1.2.2 磁控溅射离子镀工作原理第10页
        1.2.3 磁控溅射离子镀的不足第10-11页
    1.3 多弧离子镀理论基础第11-13页
    1.4 气体放电伏安特性曲线及现主流离子镀技术的改进思想第13-14页
    1.5 强辉弱弧放电区间的脱靶方式及其电场诱发第14-15页
        1.5.1 强辉弱弧放电区间的脱靶方式第14页
        1.5.2 强辉弱弧放电区间的电场诱发第14-15页
    1.6 强辉弱弧放电区间诱发的技术实施第15-18页
        1.6.1 直流(DC)电场环境构建第15-16页
        1.6.2 高功率脉冲(HPP)电场环境构建第16-17页
        1.6.3 双脉冲(DPP)电场环境构建第17-18页
    1.7 研究目的、内容及技术路线第18-21页
        1.7.1 研究的目的及意义第18-19页
        1.7.2 研究内容第19-20页
        1.7.3 技术路线第20-21页
2 实验设备与方法第21-27页
    2.1 样品制备第21-22页
        2.1.1 样品材料第21页
        2.1.2 样品预处理第21-22页
    2.2 薄膜制备第22-25页
        2.2.1 实验设备第22页
        2.2.2 实验样品的摆放第22-23页
        2.2.3 薄膜沉积过程第23-25页
    2.3 薄膜表征第25-27页
        2.3.1 薄膜厚度及沉积速率测试第25页
        2.3.2 薄膜形貌表征第25页
        2.3.3 薄膜微观组织结构及相组成第25-26页
        2.3.4 薄膜性能检测第26-27页
3 磁控阴极靶的放电模式对纯Ti薄膜结构及性能的影响第27-41页
    3.1 放电伏安特性曲线的测量第27-28页
    3.2 放电模式对纯Ti薄膜厚度及沉积粒子离化率的影响第28-30页
    3.3 放电模式对纯Ti薄膜生长形貌的影响第30-33页
        3.3.1 不同放电模式下纯Ti薄膜表面及截面形貌的分析第30-31页
        3.3.2 不同放电模式下纯Ti薄膜原子力三维形貌的分析第31-33页
    3.4 放电模式对纯Ti薄膜晶相的影响第33-35页
        3.4.1 不同放电模式下纯Ti薄膜晶体类型的分析第33页
        3.4.2 不同放电模式下纯Ti薄膜择优取向的分析第33-35页
        3.4.3 不同放电模式下纯Ti薄膜晶粒尺寸的分析第35页
    3.5 放电模式对纯Ti薄膜微观结构的影响第35-36页
    3.6 放电模式对纯Ti薄膜膜基结合性能的影响第36-38页
    3.7 放电模式对纯Ti薄膜硬度及弹性模量的影响第38-39页
    3.8 放电模式对纯Ti薄膜耐腐蚀性能的影响第39-40页
    3.9 本章小结第40-41页
4 双脉冲电场靶峰值电流密度对纯Ti薄膜结构及性能的影响第41-57页
    4.1 峰值电流密度对纯Ti薄膜厚度及沉积粒子离化率的影响第41-43页
    4.2 峰值电流密度对纯Ti薄膜生长形貌的影响第43-47页
        4.2.1 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜表面及截面形貌的分析第43-46页
        4.2.2 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜原子力三维形貌的分析第46-47页
    4.3 峰值电流密度对纯Ti薄膜晶相的影响第47-49页
        4.3.1 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜晶体类型的分析第47-49页
        4.3.2 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜晶粒尺寸的分析第49页
    4.4 峰值电流密度对纯Ti薄膜微观结构的影响第49-51页
    4.5 峰值电流密度对纯Ti薄膜膜基结合性能的影响第51-53页
    4.6 峰值电流密度对纯Ti薄膜硬度及弹性模量的影响第53-54页
    4.7 峰值电流密度对纯Ti薄膜耐腐蚀性能的影响第54-55页
    4.8 本章小结第55-57页
5 结论第57-59页
致谢第59-61页
参考文献第61-66页
攻读硕士学位期间发表的论文及成果第66页

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