摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-21页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 磁控溅射离子镀理论基础 | 第9-11页 |
1.2.1 溅射镀膜的理论基础 | 第9-10页 |
1.2.2 磁控溅射离子镀工作原理 | 第10页 |
1.2.3 磁控溅射离子镀的不足 | 第10-11页 |
1.3 多弧离子镀理论基础 | 第11-13页 |
1.4 气体放电伏安特性曲线及现主流离子镀技术的改进思想 | 第13-14页 |
1.5 强辉弱弧放电区间的脱靶方式及其电场诱发 | 第14-15页 |
1.5.1 强辉弱弧放电区间的脱靶方式 | 第14页 |
1.5.2 强辉弱弧放电区间的电场诱发 | 第14-15页 |
1.6 强辉弱弧放电区间诱发的技术实施 | 第15-18页 |
1.6.1 直流(DC)电场环境构建 | 第15-16页 |
1.6.2 高功率脉冲(HPP)电场环境构建 | 第16-17页 |
1.6.3 双脉冲(DPP)电场环境构建 | 第17-18页 |
1.7 研究目的、内容及技术路线 | 第18-21页 |
1.7.1 研究的目的及意义 | 第18-19页 |
1.7.2 研究内容 | 第19-20页 |
1.7.3 技术路线 | 第20-21页 |
2 实验设备与方法 | 第21-27页 |
2.1 样品制备 | 第21-22页 |
2.1.1 样品材料 | 第21页 |
2.1.2 样品预处理 | 第21-22页 |
2.2 薄膜制备 | 第22-25页 |
2.2.1 实验设备 | 第22页 |
2.2.2 实验样品的摆放 | 第22-23页 |
2.2.3 薄膜沉积过程 | 第23-25页 |
2.3 薄膜表征 | 第25-27页 |
2.3.1 薄膜厚度及沉积速率测试 | 第25页 |
2.3.2 薄膜形貌表征 | 第25页 |
2.3.3 薄膜微观组织结构及相组成 | 第25-26页 |
2.3.4 薄膜性能检测 | 第26-27页 |
3 磁控阴极靶的放电模式对纯Ti薄膜结构及性能的影响 | 第27-41页 |
3.1 放电伏安特性曲线的测量 | 第27-28页 |
3.2 放电模式对纯Ti薄膜厚度及沉积粒子离化率的影响 | 第28-30页 |
3.3 放电模式对纯Ti薄膜生长形貌的影响 | 第30-33页 |
3.3.1 不同放电模式下纯Ti薄膜表面及截面形貌的分析 | 第30-31页 |
3.3.2 不同放电模式下纯Ti薄膜原子力三维形貌的分析 | 第31-33页 |
3.4 放电模式对纯Ti薄膜晶相的影响 | 第33-35页 |
3.4.1 不同放电模式下纯Ti薄膜晶体类型的分析 | 第33页 |
3.4.2 不同放电模式下纯Ti薄膜择优取向的分析 | 第33-35页 |
3.4.3 不同放电模式下纯Ti薄膜晶粒尺寸的分析 | 第35页 |
3.5 放电模式对纯Ti薄膜微观结构的影响 | 第35-36页 |
3.6 放电模式对纯Ti薄膜膜基结合性能的影响 | 第36-38页 |
3.7 放电模式对纯Ti薄膜硬度及弹性模量的影响 | 第38-39页 |
3.8 放电模式对纯Ti薄膜耐腐蚀性能的影响 | 第39-40页 |
3.9 本章小结 | 第40-41页 |
4 双脉冲电场靶峰值电流密度对纯Ti薄膜结构及性能的影响 | 第41-57页 |
4.1 峰值电流密度对纯Ti薄膜厚度及沉积粒子离化率的影响 | 第41-43页 |
4.2 峰值电流密度对纯Ti薄膜生长形貌的影响 | 第43-47页 |
4.2.1 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜表面及截面形貌的分析 | 第43-46页 |
4.2.2 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜原子力三维形貌的分析 | 第46-47页 |
4.3 峰值电流密度对纯Ti薄膜晶相的影响 | 第47-49页 |
4.3.1 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜晶体类型的分析 | 第47-49页 |
4.3.2 不同靶峰值电流密度下纯Ti薄膜晶粒尺寸的分析 | 第49页 |
4.4 峰值电流密度对纯Ti薄膜微观结构的影响 | 第49-51页 |
4.5 峰值电流密度对纯Ti薄膜膜基结合性能的影响 | 第51-53页 |
4.6 峰值电流密度对纯Ti薄膜硬度及弹性模量的影响 | 第53-54页 |
4.7 峰值电流密度对纯Ti薄膜耐腐蚀性能的影响 | 第54-55页 |
4.8 本章小结 | 第55-57页 |
5 结论 | 第57-59页 |
致谢 | 第59-61页 |
参考文献 | 第61-66页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及成果 | 第66页 |