| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 溅射镀膜技术的发展 | 第9-12页 |
| 1.2.1 溅射镀膜原理 | 第9-10页 |
| 1.2.2 气体放电现象 | 第10-11页 |
| 1.2.3 磁控溅射离子镀原理 | 第11-12页 |
| 1.3 薄膜生长与薄膜结构 | 第12-15页 |
| 1.3.1 薄膜的形核与生长 | 第12-13页 |
| 1.3.2 薄膜结构 | 第13-15页 |
| 1.4 国内外研究现状 | 第15页 |
| 1.5 选题意义、研究内容及技术路线 | 第15-19页 |
| 1.5.1 选题背景及意义 | 第15-16页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第16页 |
| 1.5.3 实验技术路线图 | 第16-19页 |
| 2 薄膜制备及表征 | 第19-27页 |
| 2.1 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.2 薄膜的制备 | 第20-23页 |
| 2.2.1 基体材料的选择及预处理 | 第20页 |
| 2.2.2 薄膜制备过程 | 第20-23页 |
| 2.3 薄膜的形貌分析 | 第23-24页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜（SEM）形貌分析 | 第23页 |
| 2.3.2 原子力显微镜（AFM）形貌分析 | 第23-24页 |
| 2.4 薄膜的厚度及沉积速率分析 | 第24页 |
| 2.5 薄膜的晶体结构分析 | 第24-25页 |
| 2.5.1 X射线衍射（XRD）分析 | 第24页 |
| 2.5.2 透射电子显微镜（TEM）分析 | 第24-25页 |
| 2.6 薄膜的显微硬度分析 | 第25-27页 |
| 3 脉冲电源参量对纯Ti薄膜结构及性能的影响 | 第27-45页 |
| 3.1 脉冲持续时间对Ti膜组织形貌的影响 | 第27-30页 |
| 3.2 脉冲持续时间对Ti膜表面粗糙度的影响 | 第30-32页 |
| 3.3 脉冲持续时间对Ti膜晶体结构的影响 | 第32-34页 |
| 3.3.1 不同脉冲持续时间下Ti膜的物相分析 | 第32-33页 |
| 3.3.2 不同脉冲持续时间下Ti膜的晶粒尺寸分析 | 第33-34页 |
| 3.4 脉冲持续时间对Ti膜微观结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.5 脉冲持续时间对Ti膜显微硬度的影响 | 第35-36页 |
| 3.6 脉冲峰值电流对Ti膜组织形貌的影响 | 第36-38页 |
| 3.7 脉冲峰值电流对Ti膜表面粗糙度的影响 | 第38-40页 |
| 3.8 脉冲峰值电流对Ti膜晶体结构的影响 | 第40-42页 |
| 3.8.1 不同脉冲峰值电流下Ti膜的物相分析 | 第40-42页 |
| 3.8.2 不同脉冲峰值电流下Ti膜的晶粒尺寸分析 | 第42页 |
| 3.9 脉冲峰值电流对Ti膜微观结构的影响 | 第42-43页 |
| 3.10 脉冲峰值电流对Ti膜显微硬度的影响 | 第43-44页 |
| 3.11 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 脉冲电源参量对TiN薄膜结构及性能的影响 | 第45-61页 |
| 4.1 脉冲持续时间对TiN薄膜组织形貌的影响 | 第45-47页 |
| 4.2 脉冲持续时间对TiN薄膜表面粗糙度的影响 | 第47-48页 |
| 4.3 脉冲持续时间对TiN薄膜晶体结构的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.1 不同脉冲持续时间下TiN薄膜的物相分析 | 第48-50页 |
| 4.3.2 不同脉冲持续时间下TiN薄膜的择优取向分析 | 第50页 |
| 4.4 脉冲持续时间对TiN薄膜显微硬度的影响 | 第50-52页 |
| 4.5 脉冲峰值电流对TiN薄膜组织形貌的影响 | 第52-54页 |
| 4.6 脉冲峰值电流对TiN薄膜粗糙度的影响 | 第54-55页 |
| 4.7 脉冲峰值电流对TiN薄膜晶体结构的影响 | 第55-57页 |
| 4.7.1 不同脉冲峰值电流下TiN薄膜的物相分析 | 第55-56页 |
| 4.7.2 不同脉冲峰值电流下TiN薄膜的择优取向分析 | 第56-57页 |
| 4.8 脉冲峰值电流对TiN薄膜显微硬度的影响 | 第57-58页 |
| 4.9 本章小结 | 第58-61页 |
| 5 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
