| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 中空微纳米材料 | 第10-12页 |
| 1.1.1 中空微纳米材料分类 | 第11页 |
| 1.1.2 中空微纳米材料特性 | 第11-12页 |
| 1.1.3 中空微纳米材料的应用 | 第12页 |
| 1.2 稀土发光材料 | 第12-13页 |
| 1.2.1 稀土发光材料的发光机理 | 第13页 |
| 1.3 稀土氧化物的性质及应用 | 第13页 |
| 1.4 稀土磷酸盐和硼酸盐 | 第13-14页 |
| 1.4.1 稀土磷酸盐的性质及应用 | 第13-14页 |
| 1.4.2 稀土硼酸盐的性质及应用 | 第14页 |
| 1.5 基于多孔二氧化硅的药物释放 | 第14-15页 |
| 1.6 中空结构微纳米材料的制备方法 | 第15-19页 |
| 1.6.1 硬模板法 | 第15-16页 |
| 1.6.2 软模板法 | 第16-17页 |
| 1.6.3 牺牲模板法 | 第17-18页 |
| 1.6.4 奥斯特瓦尔德熟化 | 第18-19页 |
| 1.7 本课题研究意义 | 第19-20页 |
| 2 近球体YBO_3:Ln~(3+)(Ln=Eu,Tb)微纳米材料的制备及其发光性能研究 | 第20-29页 |
| 2.1 实验仪器与设备 | 第20-21页 |
| 2.1.1 实验仪器 | 第20-21页 |
| 2.2 实验步骤 | 第21页 |
| 2.2.1 稀土硝酸盐的制备 | 第21页 |
| 2.2.2 尿素沉淀法制备Y(OH)CO_3前驱体 | 第21页 |
| 2.2.3 以Y(OH)CO_3为消耗模板制备中空YBO_3 | 第21页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第21-28页 |
| 2.3.1 XRD分析 | 第21-23页 |
| 2.3.2 FTIR分析 | 第23-24页 |
| 2.3.3 TEM分析 | 第24-25页 |
| 2.3.4 PL分析 | 第25-27页 |
| 2.3.5 荧光寿命分析 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 3 模板法制备稀土中空YPO_4:Eu~(3+)微球的制备及其发光性能研究 | 第29-36页 |
| 3.1 实验步骤 | 第29-30页 |
| 3.1.1 稀土硝酸盐的制备 | 第29页 |
| 3.1.2 制备三聚氰胺甲醛树脂（MF）微球 | 第29-30页 |
| 3.1.3 前驱体MF@Y(OH)CO_3:Eu~(3+)的制备 | 第30页 |
| 3.1.4 中空YPO_4:Eu~(3+)微球的制备 | 第30页 |
| 3.2 实验影响因素 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-35页 |
| 3.3.1 XRD分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 FTIR分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 产品YPO_4:Eu~(3+)形貌分析 | 第32-33页 |
| 3.3.4 PL光谱与荧光寿命分析 | 第33-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 4 SiO_2@Y_2O_3:Eu复合中空微球的制备及其性能研究 | 第36-46页 |
| 4.1 实验试剂与仪器 | 第36-37页 |
| 4.1.1 实验药品 | 第36-37页 |
| 4.2 实验及性质测试 | 第37-38页 |
| 4.2.1 制备三聚氰胺甲醛树脂（MF）微球 | 第37页 |
| 4.2.2 用St?ber法制备MF@mSiO_2复合微球 | 第37-38页 |
| 4.2.3 MF@mSiO_2@Y(OH)CO_3:Eu~(3+)前驱体和SiO_2@Y_2O_3:Eu~(3+)复合中空微球的制备 | 第38页 |
| 4.2.4 SiO_2@Y_2O_3:Eu~(3+)复合中空微球载药、释药性能测试 | 第38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-45页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第38-39页 |
| 4.3.2 FTIR分析 | 第39-40页 |
| 4.3.3 形貌分析 | 第40-41页 |
| 4.3.4 TG-DTA分析 | 第41-42页 |
| 4.3.5 N2等温吸附脱附测试 | 第42页 |
| 4.3.6 发光分析 | 第42-43页 |
| 4.3.7 实验机理 | 第43-44页 |
| 4.3.8 药物缓释测试 | 第44-45页 |
| 4.4 实验影响因素 | 第45页 |
| 4.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 5 总结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-54页 |
| 攻读硕士期间发表的论文及所取得的研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
