| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-11页 |
| 1.2 常见的等离子体源 | 第11-16页 |
| 1.2.1 射频等离子体 | 第12-14页 |
| 1.2.1.1 电感耦合等离子体 | 第12-13页 |
| 1.2.1.2 电容耦合等离子体 | 第13-14页 |
| 1.2.2 电子回旋共振等离子体 | 第14-15页 |
| 1.2.3 螺旋波等离子体 | 第15-16页 |
| 1.3 表面波等离子体 | 第16-21页 |
| 1.3.1 表面波等离子体的优势 | 第19页 |
| 1.3.2 表面波等离子体源研究的进展 | 第19-21页 |
| 1.4 等离子体浸没离子注入对氧化铟锡的表面改性 | 第21-22页 |
| 1.5 本文的主要内容及创新点 | 第22-24页 |
| 参考文献 | 第24-35页 |
| 第二章 表面波等离子体原理分析 | 第35-68页 |
| 2.1 描述等离子体的重要物理参数 | 第35-44页 |
| 2.1.1 基本参数 | 第35-36页 |
| 2.1.2 德拜长度 | 第36-39页 |
| 2.1.3 等离子体频率 | 第39-41页 |
| 2.1.4 电导率 | 第41-42页 |
| 2.1.5 等效介电常数 | 第42-43页 |
| 2.1.6 等离子体趋肤深度 | 第43-44页 |
| 2.2 表面等离子体激元理论 | 第44-49页 |
| 2.2.1 SPP模型及色散关系 | 第45-48页 |
| 2.2.2 空间延展特性 | 第48-49页 |
| 2.3 平面型表面波等离子体装置的设计 | 第49-55页 |
| 2.3.1 设备结构 | 第50-51页 |
| 2.3.2 平面型表面波等离子体的电磁分析 | 第51-54页 |
| 2.3.3 工程上的困难 | 第54-55页 |
| 2.4 圆柱型表面波等离子体装置物理模型分析 | 第55-63页 |
| 2.4.1 圆柱形介质波导导波的电磁场分布及特征方程 | 第55-59页 |
| 2.4.2 介质波导中导波传播模式及其截止条件 | 第59-63页 |
| 2.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第三章 圆柱形介质波导激发的表面波等离子体源 | 第68-83页 |
| 3.1 表面波等离子体设备结构 | 第68-74页 |
| 3.1.1 整体结构 | 第69-70页 |
| 3.1.2 微波系统 | 第70-72页 |
| 3.1.3 圆柱形介质波导 | 第72-74页 |
| 3.1.4 操作步骤 | 第74页 |
| 3.2 静电探针诊断系统 | 第74-81页 |
| 3.2.1 探针系统 | 第75-77页 |
| 3.2.2 控制与数据采集系统 | 第77-79页 |
| 3.2.3 基于探针理论的数据处理 | 第79-81页 |
| 3.3 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 第四章 圆柱形介质波导激发的表面波等离子实验 | 第83-100页 |
| 4.1 介质波导为石英棒的放电实验 | 第83-86页 |
| 4.2 等离子体参数诊断及分析 | 第86-93页 |
| 4.3 不同介电常数介质棒对等离子体参数的影响 | 第93-97页 |
| 4.3.1 介质波导为特氟龙棒的放电实验 | 第93-94页 |
| 4.3.2 不同介电常数下的表面波等离子体参数 | 第94-97页 |
| 4.4 本章小结 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-100页 |
| 第五章 圆柱形介质棒上表面等离子体激元的研究 | 第100-112页 |
| 5.1 圆柱形介质波导激发等离子体时的电磁波模式 | 第100-103页 |
| 5.2 圆柱介质棒表面等离子体激元的色散关系 | 第103-107页 |
| 5.3 圆柱介质棒表面等离子体激元的实验研究 | 第107-110页 |
| 5.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-112页 |
| 第六章 等离子体浸没离子注入对氧化铟锡的表面改性 | 第112-133页 |
| 6.1 ITO表面功函数 | 第112-113页 |
| 6.2 等离子体浸没离子注入(PⅢ)实验装置 | 第113-115页 |
| 6.3 各实验因素对ITO薄膜PⅢ表面处理的影响 | 第115-129页 |
| 6.3.1 未经处理的ITO薄膜表面特性 | 第115-116页 |
| 6.3.2 偏压大小的影响 | 第116-118页 |
| 6.3.3 处理时间的影响 | 第118-124页 |
| 6.3.3.1 X射线光电子能谱分析 | 第118-121页 |
| 6.3.3.2 注入时间对ITO薄膜结构的影响 | 第121-122页 |
| 6.3.3.3 注入时间对ITO薄膜光学性能的影响 | 第122-123页 |
| 6.3.3.4 注入时间对ITO薄膜电学性能的影响 | 第123-124页 |
| 6.3.4 脉冲宽度的影响 | 第124-129页 |
| 6.3.4.1 XPS能谱分析与功函数直接测量 | 第125-126页 |
| 6.3.4.2 脉宽对ITO晶体结构的影响 | 第126-127页 |
| 6.3.4.3 脉宽对ITO表面形貌的影响 | 第127-129页 |
| 6.4 本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第七章 总结与展望 | 第133-136页 |
| 7.1 本文的主要工作 | 第133-134页 |
| 7.2 未来工作展望 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136-138页 |
| 在校期间发表的论文与专利 | 第138-141页 |
