标准CMOS工艺硅基发光器件的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-16页 |
| 1.3 主要研究内容及组织结构 | 第16-18页 |
| 第二章 硅基发光的理论基础 | 第18-33页 |
| 2.1 半导体发光机制 | 第18-24页 |
| 2.1.1 光致发光和电致发光 | 第18页 |
| 2.1.2 p-n结发光激发形式 | 第18-19页 |
| 2.1.3 发光过程中的复合 | 第19-23页 |
| 2.1.4 载流子空间限制效应对发光的影响 | 第23-24页 |
| 2.2 发光二极管 | 第24-28页 |
| 2.2.1 LED制作材料 | 第24-26页 |
| 2.2.2 电学特性 | 第26页 |
| 2.2.3 光学特性 | 第26-28页 |
| 2.3 Si-LED正偏发光光谱的分析 | 第28-31页 |
| 2.3.1 本征硅发光光谱 | 第28-29页 |
| 2.3.2 掺磷硅的发光光谱 | 第29-30页 |
| 2.3.3 Si-LED发光谱与温度的关系 | 第30-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 新型Si-LED的设计与制备 | 第33-44页 |
| 3.1 楔形结构Si-LED | 第33-39页 |
| 3.1.1 传统楔形Si-LED | 第33-35页 |
| 3.1.2 楔形瓣状结构Si-LED | 第35-36页 |
| 3.1.3 带针尖的楔形结构Si-LED | 第36-39页 |
| 3.2 Si-LED阵列 | 第39-41页 |
| 3.3 多晶硅PIN-LED | 第41-42页 |
| 3.4 基于载流子空间限制效应的Si-LED | 第42-44页 |
| 第四章 Si-LED的测试及分析 | 第44-57页 |
| 4.1 楔形Si-LED测试结果 | 第44-50页 |
| 4.1.1 电学特性 | 第44-46页 |
| 4.1.2 光学特性 | 第46-50页 |
| 4.2 Si-LED阵列的测试结果 | 第50-52页 |
| 4.2.1 电学特性 | 第50页 |
| 4.2.2 光学特性 | 第50-52页 |
| 4.3 多晶硅PIN-LED测试结果 | 第52页 |
| 4.4 光谱分析 | 第52-57页 |
| 4.4.1 能量大于Eg的发光峰 | 第53-54页 |
| 4.4.2 主发光峰随电流变化位置偏移 | 第54-57页 |
| 第五章 光互连系统的初步研究 | 第57-63页 |
| 5.1 光互连系统的设计思想 | 第57-59页 |
| 5.2 简易光互连系统的设计 | 第59-60页 |
| 5.3 光互连结构的测试结果 | 第60-63页 |
| 第六章 总结及展望 | 第63-65页 |
| 6.1 总结 | 第63-64页 |
| 6.2 展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
