| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-28页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 半导体光电催化概述 | 第11-23页 |
| 1.2.1 半导体光电催化分解水基本原理 | 第12-14页 |
| 1.2.2 影响半导体光电催化的主要因素 | 第14-15页 |
| 1.2.3 半导体光电极 | 第15-23页 |
| 1.2.3.1 半导体光阴极材料 | 第15-19页 |
| 1.2.3.2 半导体光阳极材料 | 第19-23页 |
| 1.3 ZnIn_2S_4半导体材料的特性及其研究进展 | 第23-26页 |
| 1.3.1 ZnIn_2S_4半导体材料的光催化研究 | 第23-25页 |
| 1.3.2 ZnIn_2S_4半导体材料光电催化的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4 本课题的提出、研究内容及创新之处 | 第26-28页 |
| 第二章 实验方法 | 第28-34页 |
| 2.1 实验试剂与仪器 | 第28-29页 |
| 2.2 光电极材料的结构表征 | 第29-32页 |
| 2.2.1 X射线粉末衍射 | 第29-30页 |
| 2.2.2 场发射扫描电子显微镜和高分辨率透射电镜 | 第30页 |
| 2.2.3 X射线能谱 | 第30页 |
| 2.2.4 固体紫外漫反射吸收光谱 | 第30-31页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱分析 | 第31页 |
| 2.2.6 霍尔效应测试 | 第31-32页 |
| 2.3 光电极材料的电化学与光电化学测试 | 第32-33页 |
| 2.3.1 电化学阻抗方法 | 第32页 |
| 2.3.2 Mott-Schottky曲线 | 第32-33页 |
| 2.3.3 J-V特性曲线测试 | 第33页 |
| 2.3.4 J-t特性曲线测试 | 第33页 |
| 2.4 光电极材料的光电化学产氢测试 | 第33-34页 |
| 第三章 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第34-49页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的制备 | 第34-35页 |
| 3.2.1 ZnIn_2S_4光电极的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的制备 | 第35页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第35-47页 |
| 3.3.1 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的晶体结构 | 第35-36页 |
| 3.3.2 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的表面形貌 | 第36-40页 |
| 3.3.3 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的光学性能 | 第40-41页 |
| 3.3.4 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的X光电子能谱分析 | 第41-42页 |
| 3.3.5 ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极的电化学性能 | 第42-44页 |
| 3.3.6 ZnIn_2S_4与ZnIn_2S_4/NiO纳米结构光电极产氢性能对比 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 镍掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的制备及其光电化学性能研究 | 第49-69页 |
| 4.1 引言 | 第49页 |
| 4.2 光电极的制备 | 第49-50页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第50-67页 |
| 4.3.1 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的晶体结构分析 | 第50-52页 |
| 4.3.2 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的形貌和能谱分析 | 第52-56页 |
| 4.3.3 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的X光电子能谱分析 | 第56-58页 |
| 4.3.4 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的光学性能分析 | 第58-60页 |
| 4.3.5 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的载流子数量和迁移率 | 第60页 |
| 4.3.6 不同Ni浓度掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极光电化学性能分析 | 第60-64页 |
| 4.3.7 2wt%Ni掺杂与未掺杂ZnIn_2S_4纳米结构光电极的产氢性能对比 | 第64-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 结论与展望 | 第69-71页 |
| 结论 | 第69-70页 |
| 展望 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附件 | 第83页 |
