摘要 | 第4-5页 |
ABSTRACT | 第5页 |
第一章 概论 | 第10-14页 |
1.1 GaN薄膜应用前景与意义 | 第10-11页 |
1.2 氧化物/GaN薄膜制备中常出现的问题 | 第11-12页 |
1.3 温度对氧化物/GaN薄膜制备的重要意义 | 第12-13页 |
1.4 研究任务与内容结构 | 第13-14页 |
第二章 计算原理与方法 | 第14-19页 |
2.1 第一性原理分子动力学方法 | 第14-15页 |
2.1.1 基本原理 | 第14-15页 |
2.1.2 第一性原理分子动力学计算流程 | 第15页 |
2.2 半经验算法 | 第15-17页 |
2.3 从头计算分子动力学方法 | 第17-18页 |
2.3.1 基本原理 | 第17页 |
2.3.2 从头计算分子动力学计算流程 | 第17-18页 |
2.4 密度泛函理论DFT(Density Functional Theory) | 第18-19页 |
第三章 不同温度下GaN表面吸附生长SrO分子 | 第19-34页 |
3.1 引言 | 第19页 |
3.2 物理模型和计算方法 | 第19-20页 |
3.2.1 物理模型 | 第19-20页 |
3.2.2 计算方法 | 第20页 |
3.3 在不同温度下模型A吸附动力学过程对比 | 第20-27页 |
3.3.1 300 ℃吸附生长SrO | 第20-21页 |
3.3.2 400 ℃吸附生长SrO | 第21-22页 |
3.3.3 500 ℃吸附生长SrO | 第22-24页 |
3.3.4 600 ℃吸附生长SrO | 第24-25页 |
3.3.5 700 ℃吸附生长SrO | 第25-27页 |
3.3.6 小结 | 第27页 |
3.4 在不同温度下模型A最终吸附方位对比 | 第27-28页 |
3.5 在不同温度下模型A吸附能的对比 | 第28页 |
3.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比 | 第28-30页 |
3.7 不同温度下的扩散系数计算与分析 | 第30-33页 |
3.8 本章小结 | 第33-34页 |
第四章 不同温度下GaN表面吸附生长BaO分子 | 第34-49页 |
4.1 引言 | 第34页 |
4.2 物理模型和计算方法 | 第34-35页 |
4.2.1 物理模型 | 第34-35页 |
4.2.2 计算方法 | 第35页 |
4.3 在不同温度下模型B吸附动力学过程对比 | 第35-42页 |
4.3.1 300 ℃吸附生长BaO | 第35-36页 |
4.3.2 400 ℃吸附生长BaO | 第36-38页 |
4.3.3 500 ℃吸附生长BaO | 第38-39页 |
4.3.4 600 ℃吸附生长BaO | 第39-40页 |
4.3.5 700 ℃吸附生长BaO | 第40-42页 |
4.3.6 小结 | 第42页 |
4.4 在不同温度下模型B的最终吸附方位对比 | 第42-43页 |
4.5 在不同温度下模型B吸附能的对比 | 第43页 |
4.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比 | 第43-44页 |
4.7 不同温度下的扩散系数计算与分析 | 第44-48页 |
4.8 本章小结 | 第48-49页 |
第五章 不同温度下GaN表面吸附生长TiO_2分子 | 第49-65页 |
5.1 引言 | 第49页 |
5.2 物理模型和计算方法 | 第49-50页 |
5.2.1 物理模型 | 第49页 |
5.2.2 计算方法 | 第49-50页 |
5.3 在不同温度下模型C吸附动力学过程对比 | 第50-58页 |
5.3.1 300 ℃吸附生长TiO_2 | 第50-51页 |
5.3.2 400 ℃吸附生长TiO_2 | 第51-53页 |
5.3.3 500 ℃吸附生长TiO_2 | 第53-54页 |
5.3.4 600 ℃吸附生长TiO_2 | 第54-56页 |
5.3.5 700 ℃吸附生长TiO_2 | 第56-57页 |
5.3.6 小结 | 第57-58页 |
5.4 在不同温度下模型 C 的最终吸附方位对比 | 第58-59页 |
5.5 在不同温度下模型C吸附能的对比 | 第59页 |
5.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比 | 第59-60页 |
5.7 不同温度下的扩散系数计算分析 | 第60-63页 |
5.8 本章小结 | 第63-65页 |
第六章 总结论与未来工作 | 第65-67页 |
6.1 总结论 | 第65页 |
6.2 未来工作 | 第65-67页 |
参考文献 | 第67-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
在校期间的科研成果 | 第72页 |