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温度对GaN(0001)表面生长吸附小分子SrO、BaO和Ti02影响的理论研究

摘要第4-5页
ABSTRACT第5页
第一章 概论第10-14页
    1.1 GaN薄膜应用前景与意义第10-11页
    1.2 氧化物/GaN薄膜制备中常出现的问题第11-12页
    1.3 温度对氧化物/GaN薄膜制备的重要意义第12-13页
    1.4 研究任务与内容结构第13-14页
第二章 计算原理与方法第14-19页
    2.1 第一性原理分子动力学方法第14-15页
        2.1.1 基本原理第14-15页
        2.1.2 第一性原理分子动力学计算流程第15页
    2.2 半经验算法第15-17页
    2.3 从头计算分子动力学方法第17-18页
        2.3.1 基本原理第17页
        2.3.2 从头计算分子动力学计算流程第17-18页
    2.4 密度泛函理论DFT(Density Functional Theory)第18-19页
第三章 不同温度下GaN表面吸附生长SrO分子第19-34页
    3.1 引言第19页
    3.2 物理模型和计算方法第19-20页
        3.2.1 物理模型第19-20页
        3.2.2 计算方法第20页
    3.3 在不同温度下模型A吸附动力学过程对比第20-27页
        3.3.1 300 ℃吸附生长SrO第20-21页
        3.3.2 400 ℃吸附生长SrO第21-22页
        3.3.3 500 ℃吸附生长SrO第22-24页
        3.3.4 600 ℃吸附生长SrO第24-25页
        3.3.5 700 ℃吸附生长SrO第25-27页
        3.3.6 小结第27页
    3.4 在不同温度下模型A最终吸附方位对比第27-28页
    3.5 在不同温度下模型A吸附能的对比第28页
    3.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比第28-30页
    3.7 不同温度下的扩散系数计算与分析第30-33页
    3.8 本章小结第33-34页
第四章 不同温度下GaN表面吸附生长BaO分子第34-49页
    4.1 引言第34页
    4.2 物理模型和计算方法第34-35页
        4.2.1 物理模型第34-35页
        4.2.2 计算方法第35页
    4.3 在不同温度下模型B吸附动力学过程对比第35-42页
        4.3.1 300 ℃吸附生长BaO第35-36页
        4.3.2 400 ℃吸附生长BaO第36-38页
        4.3.3 500 ℃吸附生长BaO第38-39页
        4.3.4 600 ℃吸附生长BaO第39-40页
        4.3.5 700 ℃吸附生长BaO第40-42页
        4.3.6 小结第42页
    4.4 在不同温度下模型B的最终吸附方位对比第42-43页
    4.5 在不同温度下模型B吸附能的对比第43页
    4.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比第43-44页
    4.7 不同温度下的扩散系数计算与分析第44-48页
    4.8 本章小结第48-49页
第五章 不同温度下GaN表面吸附生长TiO_2分子第49-65页
    5.1 引言第49页
    5.2 物理模型和计算方法第49-50页
        5.2.1 物理模型第49页
        5.2.2 计算方法第49-50页
    5.3 在不同温度下模型C吸附动力学过程对比第50-58页
        5.3.1 300 ℃吸附生长TiO_2第50-51页
        5.3.2 400 ℃吸附生长TiO_2第51-53页
        5.3.3 500 ℃吸附生长TiO_2第53-54页
        5.3.4 600 ℃吸附生长TiO_2第54-56页
        5.3.5 700 ℃吸附生长TiO_2第56-57页
        5.3.6 小结第57-58页
    5.4 在不同温度下模型 C 的最终吸附方位对比第58-59页
    5.5 在不同温度下模型C吸附能的对比第59页
    5.6 不同温度下表面电荷分析与成键的对比第59-60页
    5.7 不同温度下的扩散系数计算分析第60-63页
    5.8 本章小结第63-65页
第六章 总结论与未来工作第65-67页
    6.1 总结论第65页
    6.2 未来工作第65-67页
参考文献第67-71页
致谢第71-72页
在校期间的科研成果第72页

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