摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
引言 | 第8-10页 |
1 文献综述 | 第10-23页 |
1.1 多晶硅太阳电池绒面制备技术 | 第10-18页 |
1.1.1 反应离子刻蚀方法 | 第11-12页 |
1.1.2 机械刻蚀技术 | 第12-13页 |
1.1.3 激光刻蚀技术 | 第13页 |
1.1.4 蜂窝绒面技术 | 第13-14页 |
1.1.5 单晶硅湿法化学刻蚀技术 | 第14-15页 |
1.1.6 多晶硅湿法化学刻蚀技术 | 第15-18页 |
1.1.6.1 电化学制绒方法 | 第15页 |
1.1.6.2 蒸汽法制绒方法 | 第15-17页 |
1.1.6.3 新型制绒方法 | 第17页 |
1.1.6.4 酸性制绒体系 | 第17-18页 |
1.2 在HF/HNO_3/H_2O酸性体系中的刻蚀硅片的机理与动力学研究 | 第18-20页 |
1.3 表面活性剂在酸性制绒体系中的应用 | 第20-21页 |
1.4 选题依据与论文构思 | 第21-23页 |
2 表面活性剂在多晶硅片HF/HNO_3/H_2O体系中的刻蚀研究 | 第23-52页 |
2.1 引言 | 第23页 |
2.2 实验部分 | 第23-26页 |
2.2.1 主要仪器及化学试剂 | 第23-24页 |
2.2.2 实验步骤 | 第24-26页 |
2.3 结果与讨论 | 第26-50页 |
2.3.1 HF/HNO_3/H_2O体系中的刻蚀研究 | 第27-41页 |
2.3.1.1 HF/HNO_3/H_2O体系中加入表面活性剂的刻蚀研究 | 第32-35页 |
2.3.1.2 HF/HNO_3/H_2O体系中加入复配表面活性剂的刻蚀研究 | 第35-36页 |
2.3.1.3 HF/HNO_3/H_2O体系中的正交试验 | 第36-38页 |
2.3.1.4 HF/HNO_3/H_2O体系中温度与添加剂的影响 | 第38-41页 |
2.3.2 HF/HNO_3体系中的刻蚀研究 | 第41-50页 |
2.3.2.1 HF/HNO_3/表面活性剂体系中酸性比例的刻蚀研究 | 第43-45页 |
2.3.2.2 HF/HNO_3/表面活性剂体系中的刻蚀时间研究 | 第45-47页 |
2.3.2.3 HF/HNO_3/表面活性剂体系中表面活性剂的优选 | 第47-48页 |
2.3.2.4 HF/HNO_3/表面活性剂体系中表面活性剂的复配 | 第48-50页 |
2.4 表面活性剂降低反射率可能机理的探讨 | 第50-51页 |
2.5 本章小结 | 第51-52页 |
3 表面活性剂在新制绒体系中的研究 | 第52-78页 |
3.1 两种新体系的确立 | 第52-53页 |
3.2 实验部分 | 第53-54页 |
3.2.1 主要仪器及化学试剂 | 第53页 |
3.2.2 实验步骤 | 第53-54页 |
3.3 结果与讨论 | 第54-73页 |
3.3.1 KMnO_4/HF/H_2O体系的探究 | 第54-57页 |
3.3.2 KMnO_4/HF/H_2O体系中加入表面活性剂的探究 | 第57-63页 |
3.3.2.1 KMnO_4/HF/H_2O体系中加入表面活性剂的配比探究 | 第57-61页 |
3.3.2.2 KMnO_4/HF/H_2O体系中加入表面活性剂的腐蚀时间探究 | 第61-63页 |
3.3.2.3 KMnO_4/HF/H_2O体系中加入不同种类的表面活性剂的探究 | 第63页 |
3.3.3 NaNO_2/H_2O 体系的探究 | 第63-73页 |
3.3.3.1 KMnO_2/HF/H_2O体系中表面活性剂的探究 | 第68-69页 |
3.3.3.2 KMnO_2/HF/H_2O体系中配比的探究 | 第69-70页 |
3.3.3.3 KMnO_2/HF/H_2O体系中制绒时间的探究 | 第70-72页 |
3.3.3.4 KMnO_2/HF/H_2O体系中表面活性剂用量的探究 | 第72-73页 |
3.4 表面活性剂作用可能机理的探究 | 第73-75页 |
3.5 制绒体系的对比 | 第75-76页 |
3.6 本章小结 | 第76-78页 |
结论 | 第78-79页 |
参考文献 | 第79-83页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第83-84页 |
致谢 | 第84-85页 |