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5-羟甲基胞嘧啶结合蛋白的鉴定及其对DNA去甲基化的调控

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 引言第10-38页
    1.1 DNA甲基化的维持与从头建立第11-16页
        1.1.1 DNA甲基化模式的维持第11-14页
        1.1.2 DNA甲基化模式的从头建立第14-16页
    1.2 DNA去甲基化第16-29页
        1.2.1 基因组DNA主动去甲基化第17-18页
        1.2.2 DNA主动去甲基化酶的历史研究第18页
        1.2.3 利用碱基切除修复实现DNA去甲基化第18-21页
        1.2.4 利用核苷酸切除修复实现去甲基化第21-22页
        1.2.5 DNA氧化去甲基化第22-29页
    1.3 DNA氧化去甲基化的调节机制第29-32页
        1.3.1 调节TET蛋白对底物的选择性与结合能力第29-30页
        1.3.2 TET蛋白翻译后修饰第30-31页
        1.3.3 调节细胞内辅因子浓度第31-32页
    1.4 5mC氧化产物在基因组上的分布第32-35页
        1.4.1 研究基因组上5mC氧化产物分布的方法第32页
        1.4.2 5mC氧化产物在基因启动子区域的分布第32-33页
        1.4.3 5mC氧化产物在基因内部的分布第33页
        1.4.4 5mC氧化产物在基因远端调控区域的分布第33-35页
    1.5 本研究的内容与意义第35-38页
第2章 研究方法与材料第38-78页
    2.1 实验材料第38-44页
        2.1.1 cDNA与质粒第38页
        2.1.2 菌株第38页
        2.1.3 细胞系第38-39页
        2.1.4 分子克隆试剂第39页
        2.1.5 大肠杆菌培养试剂第39-40页
        2.1.6 稳定重同位素标记细胞所用试剂第40页
        2.1.7 合成带修饰的DNA片段第40页
        2.1.8 质谱样品处理试剂第40-41页
        2.1.9 Western免疫印迹试剂第41页
        2.1.10 免疫荧光染色试剂第41-42页
        2.1.11 抗体第42页
        2.1.12 重组蛋白纯化试剂第42页
        2.1.13 电泳迁移实验试剂第42-43页
        2.1.14 染色质/DNA免疫沉淀实验所用试剂第43-44页
        2.1.15 重亚硫酸盐测序试剂第44页
    2.2 实验方法第44-78页
        2.2.1 细胞培养与细胞系的建立第44-51页
        2.2.2 基于SILAC辅助的DNA pull-down实验第51-54页
        2.2.3 质谱样品处理第54-55页
        2.2.4 质谱鉴定及定量分析第55-56页
        2.2.5 基因克隆与质粒构建第56-60页
        2.2.6 重组蛋白的表达与纯化第60-61页
        2.2.7 电泳迁移实验第61-62页
        2.2.8 SALL4A免疫沉淀第62-63页
        2.2.9 提取小鼠胚胎干细胞基因组DNA第63页
        2.2.10 染色质免疫沉淀第63-67页
        2.2.11 DNA免疫沉淀第67-69页
        2.2.12 ChIP/DIP-seq数据分析第69-71页
        2.2.13 反转录荧光实时定量PCR和ChIP/DIP-qPCR第71-73页
        2.2.14 免疫荧光染色第73-74页
        2.2.15 重亚硫酸盐测序第74页
        2.2.16 GlucMS-qPCR第74-75页
        2.2.17 胚胎干细胞基因表达谱分析第75页
        2.2.18 免疫共沉淀实验第75-78页
第3章 研究结果第78-108页
    3.1 鉴定胚胎干细胞特异的5hmC结合蛋白第78-85页
        3.1.1 利用SILAC技术辅助的DNA pull-down鉴定5hmC结合蛋白第78-82页
        3.1.2 SATB1在体外特异性的结合带有5hmC的DNA第82页
        3.1.3 SALL1和SALL4在体外倾向于结合5hmC第82-85页
    3.2 SALL1和SALL4在基因组上的分布依赖于TET1第85-96页
        3.2.1 SALL1和SALL4A主要定位在基因的远端调控区域第85-91页
        3.2.2 SALL1和SALL4A在基因组上的分布依赖于TET1第91-96页
    3.3 SALL4A促进其结合位点上的5hmC被进一步氧化第96-108页
        3.3.1 SALL1和SALL4A结合位点上的5hmC被进一步氧化第96-100页
        3.3.2 敲除SALL4导致其结合位点上5hmC的进一步氧化受阻第100-104页
        3.3.3 SALL4A调节TET1在SALL4A结合位点上的定位第104-108页
第4章 讨论第108-112页
    4.1 SALL4A促进5hmC进一步氧化的作用方式第108-109页
    4.2 SALL4A与TET1共同调节其结合位点上DNA修饰状态第109-110页
    4.3 SALL4A调控DNA修饰状态的生物学功能第110-112页
参考文献第112-132页
致谢第132-134页
论文发表第134-135页

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