| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 太赫兹波简介 | 第13-15页 |
| 1.2 太赫兹固态器件的研究背景与研究意义 | 第15-16页 |
| 1.3 太赫兹InP固态技术国内外发展动态 | 第16-24页 |
| 1.3.1 太赫兹InP器件的国内外发展动态 | 第18-20页 |
| 1.3.2 太赫兹InP单片放大器的国内外发展动态 | 第20-22页 |
| 1.3.3 太赫兹半导体器件模型国内外发展动态 | 第22-24页 |
| 1.4 本文的研究内容和章节安排 | 第24-26页 |
| 第二章 复合式集电区的InP HBT工艺 | 第26-40页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 InP HBT工作原理及外延层优化 | 第26-33页 |
| 2.2.1 HBT工作原理 | 第26-28页 |
| 2.2.2 太赫兹InP HBT三个关键参数 | 第28-29页 |
| 2.2.3 复合式集电区InP HBT | 第29-33页 |
| 2.3 有源区平坦化工艺与TMIC工艺 | 第33-35页 |
| 2.4 非线性模型介绍 | 第35-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 太赫兹在片测试与校准研究 | 第40-62页 |
| 3.1 引言 | 第40页 |
| 3.2 片外校准与去嵌 | 第40-48页 |
| 3.2.1 片外校准 | 第40-42页 |
| 3.2.2 去嵌方法 | 第42-48页 |
| 3.3 在片校准 | 第48-55页 |
| 3.3.1 传输线模型 | 第48-51页 |
| 3.3.2 校准件设计与校准算法 | 第51-55页 |
| 3.4 测试结果对比与分析 | 第55-61页 |
| 3.4.1 无源器件 | 第55-58页 |
| 3.4.2 有源器件 | 第58-59页 |
| 3.4.3 分析 | 第59-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 片上电容的太赫兹模型研究 | 第62-75页 |
| 4.1 引言 | 第62页 |
| 4.2 电容的LCL模型 | 第62-71页 |
| 4.2.1 模型简介 | 第62-64页 |
| 4.2.2 模型提参算法 | 第64-71页 |
| 4.3 模型在太赫兹的应用 | 第71-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 第五章 InP HBT太赫兹模型研究 | 第75-107页 |
| 5.1 引言 | 第75页 |
| 5.2 低频有源区模型建立 | 第75-95页 |
| 5.2.1 线性模型 | 第77-83页 |
| 5.2.2 非线性模型 | 第83-95页 |
| 5.3 EM法提取高频寄生参数 | 第95-106页 |
| 5.3.1 EM仿真软件校准 | 第96-98页 |
| 5.3.2 仿真结构设计 | 第98-99页 |
| 5.3.3 提取算法 | 第99-104页 |
| 5.3.4 验证与分析 | 第104-106页 |
| 5.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 第六章 太赫兹单片放大器研制 | 第107-130页 |
| 6.1 引言 | 第107页 |
| 6.2 单片放大器设计环境及设计流程 | 第107-110页 |
| 6.3 140GHz宽带放大器设计 | 第110-121页 |
| 6.3.1 直流，S参数仿真与偏置设计 | 第110-113页 |
| 6.3.2 输入输出匹配 | 第113-117页 |
| 6.3.3 功率合成结构 | 第117-119页 |
| 6.3.4 功率测试系统校准与测试 | 第119-121页 |
| 6.4 220GHz放大器设计 | 第121-125页 |
| 6.4.1 匹配设计 | 第122-124页 |
| 6.4.2 小信号与功率测试 | 第124-125页 |
| 6.5 倒置微带线G波段放大器设计 | 第125-128页 |
| 6.5.1 匹配设计 | 第126-127页 |
| 6.5.2 小信号与功率测试 | 第127-128页 |
| 6.6 本章小结 | 第128-130页 |
| 第七章 总结与展望 | 第130-133页 |
| 7.1 本文的主要工作和创新点 | 第130-132页 |
| 7.2 未来工作的展望 | 第132-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 参考文献 | 第134-146页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第146-148页 |