| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| ·研究背景 | 第10页 |
| ·研究构思 | 第10-11页 |
| ·研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-25页 |
| ·ZnO材料的基本性质 | 第12-17页 |
| ·ZnO材料的结构形态 | 第12-14页 |
| ·ZnO材料的P型掺杂 | 第14-15页 |
| ·ZnO材料的性能应用 | 第15页 |
| ·ZnO掺Mg及相结构演变 | 第15-17页 |
| ·ZnMgO基紫外探测器的研究 | 第17-20页 |
| ·紫外探测器的基本原理和分类 | 第17-18页 |
| ·ZnMgO基紫外探测器的研究进展 | 第18-20页 |
| ·紫外探测器的主要性能参数 | 第20-22页 |
| ·暗电流(I_d) | 第20页 |
| ·响应度(R) | 第20页 |
| ·紫外可见光抑制比(UV/VIS) | 第20-21页 |
| ·响应时间(τ) | 第21页 |
| ·噪声等效功率(NEP)和探测灵敏度(D~*) | 第21-22页 |
| ·响应带宽(Δf) | 第22页 |
| ·ZnMgO基薄膜的主要制备方法 | 第22-25页 |
| ·磁控溅射(MS) | 第23页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD) | 第23-24页 |
| ·金属有机物化学气相沉积(MOCVD) | 第24页 |
| ·分子束外延(MBE) | 第24-25页 |
| 第三章 实验原理、制备工艺与性能表征 | 第25-33页 |
| ·脉冲激光沉积(PLD)实验原理 | 第25-26页 |
| ·烧蚀物产生阶段 | 第25页 |
| ·烧蚀物输运阶段 | 第25-26页 |
| ·烧蚀物成膜阶段 | 第26页 |
| ·ZnMgO薄膜制备工艺 | 第26-30页 |
| ·靶材制备 | 第27-28页 |
| ·基底选择及清洗 | 第28-29页 |
| ·设备调试及光路调整 | 第29-30页 |
| ·PLD制备工艺中对薄膜的影响因素 | 第30-31页 |
| ·生长温度对薄膜质量的影响 | 第30-31页 |
| ·生长压强对薄膜质量的影响 | 第31页 |
| ·ZnMgO薄膜性能表征 | 第31-33页 |
| ·薄膜的结构表征 | 第31页 |
| ·薄膜的形貌表征 | 第31页 |
| ·薄膜的电学表征 | 第31页 |
| ·薄膜的光学表征 | 第31-32页 |
| ·薄膜的化学表征 | 第32-33页 |
| 第四章 低Mg含量六方ZnMgO薄膜的生长及分析 | 第33-41页 |
| ·ZnO薄膜的生长及分析 | 第33-34页 |
| ·低Mg含量ZnMgO薄膜的生长及分析 | 第34-40页 |
| ·掺入Mg元素后对ZnMgO三元合金薄膜的影响 | 第34-35页 |
| ·不同生长参数对低Mg含量ZnMgO三元合金薄膜的影响 | 第35-39页 |
| ·低Mg含量薄膜组份及化学态分析 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第五章 高Mg含量立方MgZnO薄膜的生长及分析 | 第41-54页 |
| ·SiO_2基底直接生长高Mg含量立方MgZnO薄膜 | 第41-42页 |
| ·SiO_2基底生长双层高Mg含量立方MgZnO薄膜 | 第42-46页 |
| ·单晶MgO(100)基底上生长高Mg含量立方MgZnO薄膜 | 第46-51页 |
| ·单晶MgO(100)基底上工艺参数选择 | 第46-50页 |
| ·单晶MgO(100)基底上高质量立方MgZnO薄膜生长 | 第50-51页 |
| ·高Mg含量薄膜生长面临的主要问题及分析 | 第51-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第六章 ZnMgO基紫外线探测器的研究 | 第54-62页 |
| ·光电导型紫外探测器原理 | 第54-55页 |
| ·叉指结构光刻版制备 | 第55-57页 |
| ·光导型叉指紫外探测器Ⅳ测试 | 第57-59页 |
| ·光导型叉指紫外探测器光谱响应测试 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| 第七章 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 个人简历 | 第71-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第72页 |
