| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·晶体硅表面亚微米结构的研究 | 第9-10页 |
| ·脉冲激光与晶体硅相互作用 | 第10-13页 |
| ·纳秒脉冲激光与晶体硅相互作用 | 第10-11页 |
| ·飞秒脉冲激光与晶体硅相互作用 | 第11-13页 |
| ·飞秒激光辐照后晶体硅的特性研究 | 第13-15页 |
| ·光致发光研究背景 | 第13-14页 |
| ·光致发光机理 | 第14-15页 |
| ·本论文的主要内容及安排 | 第15-17页 |
| 2 实验设备及测试方法 | 第17-23页 |
| ·实验设备 | 第17-20页 |
| ·10 Hz飞秒脉冲激光系统 | 第17-18页 |
| ·1 k Hz飞秒脉冲激光系统 | 第18-19页 |
| ·三维平移台 | 第19-20页 |
| ·样品表征方法 | 第20-22页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第20页 |
| ·荧光分光光度计 | 第20-21页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪 | 第21页 |
| ·能谱仪 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 10 Hz飞秒脉冲激光辐照单晶硅制备亚微米结构及其特性研究 | 第23-30页 |
| ·实验光路 | 第23页 |
| ·10 Hz飞秒脉冲激光制备亚微米结构 | 第23-25页 |
| ·空气中能量密度为 1.7 J/cm~2时亚微米结构的制备 | 第23-24页 |
| ·空气中能量密度为 1.9 J/cm~2时亚微米结构的制备 | 第24-25页 |
| ·10 Hz飞秒激光制备出的亚微米结构的特性研究 | 第25-29页 |
| ·不同扫描速度下的光致发光特性研究 | 第25-26页 |
| ·不同能量密度下的光致发光特性研究 | 第26-27页 |
| ·傅里叶红外光谱特性及表面成分分析 | 第27-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 4 1 k Hz飞秒激光辐照硅表面制备亚微米结构及其特性研究 | 第30-48页 |
| ·实验光路 | 第30-31页 |
| ·1 k Hz飞秒脉冲激光辐照晶体硅制备亚微米结构 | 第31-35页 |
| ·空气中扫描速度为 22 mm/s时亚微米结构的制备 | 第31页 |
| ·空气中扫描速度为 2.2 mm/s时亚微米结构的制备 | 第31-33页 |
| ·纯水中扫描速度为 22 mm/s时亚微米结构的制备 | 第33页 |
| ·纯水中扫描速度为 2.2 mm/s时亚微米结构的制备 | 第33-35页 |
| ·1 k Hz飞秒脉冲激光制备出的亚微米结构的特性研究 | 第35-47页 |
| ·空气中扫描速度为 22 mm/s时光致发光和傅里叶红外光谱特性研究 | 第35-37页 |
| ·纯水中扫描速度为 22 mm/s时光致发光和傅里叶红外光谱特性研究 | 第37-38页 |
| ·空气中扫描速度为 2.2 mm/s时光致发光特性研究 | 第38-39页 |
| ·纯水中扫描速度为 2.2 mm/s时光致发光特性研究 | 第39-41页 |
| ·退火处理对光致发光特性的影响 | 第41-42页 |
| ·扫描速度为 22 mm/s时表面EDS分析 | 第42-44页 |
| ·扫描速度为 2.2 mm/s时表面EDS分析 | 第44-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-62页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第62页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第62页 |
