| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·GaN 基紫外探测器的研究意义 | 第10-11页 |
| ·GaN 基光伏型紫外探测器的研究进展 | 第11-16页 |
| ·PIN 型紫外探测器 | 第11-12页 |
| ·肖特基势垒型紫外探测器 | 第12-13页 |
| ·MSM 型紫外探测器 | 第13-15页 |
| ·GaN 基紫外探测器阵列 | 第15-16页 |
| ·论文的主要研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 GaN 基光伏型紫外探测器原理及结构 | 第17-35页 |
| ·PIN 型探测器工作原理 | 第17-18页 |
| ·探测器性能参数 | 第18-21页 |
| ·量子效率和响应度 | 第18-19页 |
| ·光谱响应 | 第19页 |
| ·噪声等效功率（NEP）与探测率 | 第19-20页 |
| ·响应时间 | 第20-21页 |
| ·AlGaN 基 PIN 紫外探测器的结构设计 | 第21-31页 |
| ·计算软件简介 | 第21-22页 |
| ·禁带宽度和截止波长 | 第22-23页 |
| ·折射率和吸收系数 | 第23-25页 |
| ·复合系数和少子寿命 | 第25-26页 |
| ·光电流的形成 | 第26页 |
| ·AlGaN基日盲紫外背入射PIN探测器的结构优化 | 第26-31页 |
| ·AlGaN 基 MSM 肖特基紫外探测器 | 第31-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 AlGaN 材料的 MOCVD 外延生长 | 第35-53页 |
| ·AlGaN 材料的 MOCVD 生长及表征 | 第35-39页 |
| ·MOCVD 材料生长简介 | 第35-36页 |
| ·AlGaN 材料的测试表征 | 第36-39页 |
| ·缓冲模板层的生长 | 第39-45页 |
| ·衬底材料的选择 | 第39-40页 |
| ·AlN 缓冲模板层的生长 | 第40-45页 |
| ·高 Al 组分 AlGaN 材料的生长 | 第45-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 AlGaN 基紫外探测器的制备及测试分析 | 第53-68页 |
| ·AlGaN 基紫外探测器的制备 | 第53-61页 |
| ·日盲紫外背入射 PIN 探测器的制备 | 第53-59页 |
| ·MSM 紫外探测器的制备 | 第59-61页 |
| ·AlGaN 基紫外探测器的测试分析 | 第61-67页 |
| ·日盲紫外背入射 PIN 探测器的测试分析 | 第61-64页 |
| ·MSM 紫外探测器的测试分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 结论 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第76-77页 |