双材料微悬臂阵列非制冷热成像探测器件研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 1 绪论 | 第8-15页 |
| ·研究背景 | 第8页 |
| ·热探测器概述 | 第8-13页 |
| ·热探测技术国内外现状 | 第10-11页 |
| ·光学读出式探测器发展 | 第11-13页 |
| ·课题研究的意义 | 第13-14页 |
| ·本文的研究工作 | 第14-15页 |
| 2 双材料微悬臂非制冷热成像探测系统 | 第15-20页 |
| ·系统示意图 | 第15-16页 |
| ·探测原理 | 第16-17页 |
| ·微悬臂梁探测原理 | 第16页 |
| ·材料选择 | 第16-17页 |
| ·热探测器成像 | 第17页 |
| ·课题实验 | 第17-20页 |
| ·氮化硅性能测试 | 第17-18页 |
| ·器件设计与制作 | 第18-20页 |
| 3 器件单元设计及制备技术 | 第20-29页 |
| ·单元结构 | 第20-21页 |
| ·微悬臂梁制作工艺 | 第21-22页 |
| ·制备技术 | 第22-29页 |
| ·光刻系统 | 第22-23页 |
| ·PECVD沉积系统 | 第23-25页 |
| ·感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术 | 第25-27页 |
| ·磁控溅射系统 | 第27-29页 |
| 4 氮化硅薄膜与工艺参数 | 第29-45页 |
| ·氮化硅薄膜的基本性质 | 第29-30页 |
| ·氮化硅薄膜的制备工艺 | 第30页 |
| ·氮化硅薄膜刻蚀 | 第30-35页 |
| ·薄膜制备参数 | 第30页 |
| ·掩膜制作 | 第30页 |
| ·数据检测与分析 | 第30-35页 |
| ·氮化硅薄膜应力测试与分析 | 第35-38页 |
| ·氮化硅红外吸收测试与分析 | 第38-42页 |
| ·PI胶等离子体刻蚀 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 5 器件制作 | 第45-57页 |
| ·牺牲层制备 | 第45-51页 |
| ·牺牲层材料及其生长 | 第45-46页 |
| ·牺牲层图形化 | 第46-50页 |
| ·牺牲层的固化 | 第50-51页 |
| ·反光层制备 | 第51-54页 |
| ·反光层图形化 | 第51-53页 |
| ·金膜镀制与图形化 | 第53-54页 |
| ·红外吸收层制作 | 第54-55页 |
| ·氮化硅薄膜制备 | 第54页 |
| ·氮化硅薄膜刻蚀 | 第54-55页 |
| ·牺牲层去除 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 6 总结与展望 | 第57-60页 |
| ·总结 | 第57-58页 |
| ·展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
