| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-9页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·本论文完成主要工作 | 第8-9页 |
| 第二章 中红外半导体激光器 | 第9-18页 |
| ·半导体激光器概述 | 第9-10页 |
| ·中红外半导体激光器 | 第10-17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器设计与优化 | 第18-33页 |
| ·AlGaAsSb和InGaAsSb的基本特性 | 第18-23页 |
| ·量子阱激光器的设计与优化 | 第23-29页 |
| ·设计的2μmAlGaAsSb/InGaAsSb量子阱激光器结构 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 锑化物激光器的刻蚀工艺 | 第33-43页 |
| ·干法刻蚀工艺简介 | 第33-37页 |
| ·湿法刻蚀 | 第37-39页 |
| ·刻蚀工艺参数 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 GaSb基的刻蚀研究 | 第43-51页 |
| ·实验方案 | 第43-45页 |
| ·氢氟酸对GaSb的腐蚀作用 | 第45-47页 |
| ·磷酸对GaSb的腐蚀作用 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 结论与展望 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |