| 中文摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-38页 |
| ·半导体气敏传感器 | 第11-17页 |
| ·半导体气敏传感器的应用 | 第11-12页 |
| ·半导体气敏传感的发展 | 第12-13页 |
| ·气敏传感器性能定义 | 第13-14页 |
| ·用于半导体气敏传感器的主要材料 | 第14-17页 |
| ·纳米半导体气敏材料制备 | 第17-22页 |
| ·纳米材料特性 | 第17-18页 |
| ·固相法制备纳米材料 | 第18-19页 |
| ·液相法制备纳米材料 | 第19-21页 |
| ·气相法制备纳米材料 | 第21-22页 |
| ·半导体材料特性 | 第22-27页 |
| ·半导体金属氧化物材料的缺陷理论 | 第22-24页 |
| ·吸附理论 | 第24-27页 |
| ·气敏机理 | 第27页 |
| ·纳米 WO_3材料制备及 NO_2气敏传感器的发展状况 | 第27-34页 |
| ·固相法 | 第27-28页 |
| ·液相法 | 第28-32页 |
| ·气相法 | 第32-33页 |
| ·其它合成方法 | 第33-34页 |
| ·课题意义、研究内容及创新点 | 第34-38页 |
| ·课题意义 | 第34-36页 |
| ·研究内容 | 第36-38页 |
| 第二章 热分解钨酸铵制备 WO_3材料及其气敏特性的研究 | 第38-54页 |
| ·前言 | 第38页 |
| ·主要试剂 | 第38-39页 |
| ·气敏材料的制备 | 第39-40页 |
| ·WO_3掺 SiO_2材料 | 第39页 |
| ·钨酸铵热分解制备 WO_3 | 第39-40页 |
| ·材料微观结构分析 | 第40-44页 |
| ·材料 XRD 分析 | 第40-43页 |
| ·材料电镜分析 | 第43-44页 |
| ·气敏元件的制作 | 第44-46页 |
| ·元件制作流程 | 第44-45页 |
| ·制作元件 | 第45-46页 |
| ·元件的气敏性能测试 | 第46-53页 |
| ·元件性能测试 | 第46页 |
| ·元件的灵敏度 | 第46-47页 |
| ·元件的选择性 | 第47-48页 |
| ·元件加热电压与灵敏度的关系 | 第48-49页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第49-51页 |
| ·元件的稳定性 | 第51-53页 |
| ·元件的内阻 | 第53页 |
| 本章小结 | 第53-54页 |
| 第三章 溶胶-凝胶法制备 WO_3材料及其气敏特性的研究 | 第54-69页 |
| ·前言 | 第54页 |
| ·主要试剂 | 第54页 |
| ·材料制备 | 第54-56页 |
| ·材料微观结构分析 | 第56-59页 |
| ·材料 XRD 分析 | 第56-57页 |
| ·材料电镜分析 | 第57-59页 |
| ·气敏元件的制作 | 第59页 |
| ·元件的气敏性能测试 | 第59-68页 |
| ·气敏性能测试方法 | 第59页 |
| ·元件的灵敏度 | 第59-62页 |
| ·元件的选择性 | 第62-63页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第63-66页 |
| ·元件的稳定性 | 第66-68页 |
| 本章小结 | 第68-69页 |
| 第四章 通电自燃烧法制备 WO_3材料及其气敏特性的研究 | 第69-82页 |
| ·前言 | 第69页 |
| ·材料制备 | 第69-70页 |
| ·材料微观结构分析 | 第70-74页 |
| ·材料 XRD 分析 | 第70-72页 |
| ·材料电镜分析 | 第72-74页 |
| ·气敏元件的制作 | 第74页 |
| ·元件制作流程 | 第74页 |
| ·制作元件 | 第74页 |
| ·元件的气敏性能测试 | 第74-80页 |
| ·气敏性能测试方法 | 第74-75页 |
| ·元件的灵敏度 | 第75页 |
| ·元件的选择性 | 第75-77页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第77-79页 |
| ·元件的稳定性 | 第79-80页 |
| 本章小结 | 第80-82页 |
| 第五章 温差效应气敏元件的研究 | 第82-98页 |
| ·前言 | 第82-83页 |
| ·温差效应的物理描述 | 第83-85页 |
| ·半导体载流子的热电动势 | 第85-89页 |
| ·半导体内只含有一种载流子的热电动势 | 第85-87页 |
| ·半导体内含有两种载流子的绝对温差电动势 | 第87-89页 |
| ·温差电动势式元件气敏机理 | 第89-91页 |
| ·元件的制作 | 第91-92页 |
| ·元件的结构 | 第91页 |
| ·实验电路图 | 第91-92页 |
| ·敏感膜的制作 | 第92页 |
| ·元件的气敏性能测试 | 第92-97页 |
| ·气敏性能指标的定义 | 第92-93页 |
| ·元件灵敏度随加热功率的变化关系 | 第93-94页 |
| ·元件的灵敏度 | 第94-96页 |
| ·元件的响应恢复时间 | 第96页 |
| ·元件的稳定性 | 第96-97页 |
| 本章小结 | 第97-98页 |
| 第六章 霍耳效应气敏元件的研究 | 第98-115页 |
| 前言 | 第98页 |
| ·霍耳效应的理论描述 | 第98-103页 |
| ·一种载流子的霍耳效应 | 第99-101页 |
| ·两种载流子的霍耳效应 | 第101-103页 |
| ·霍尔电动势式气敏机理 | 第103-105页 |
| ·元件制备 | 第105-107页 |
| ·元件的设计 | 第105-106页 |
| ·元件的制备 | 第106-107页 |
| ·元件的气敏性能测试 | 第107-113页 |
| ·元件的测试方法 | 第107-108页 |
| ·元件的灵敏度 | 第108-110页 |
| ·元件的响应恢复特性 | 第110-111页 |
| ·元件的稳定性 | 第111-112页 |
| ·元件的选择性 | 第112-113页 |
| 本章小结 | 第113-115页 |
| 第七章 WO_3材料对 NO_2气体的气敏机理 | 第115-122页 |
| ·影响 WO_3基气敏元件灵敏度的因素 | 第115-117页 |
| ·AET 效应涉及的推论 | 第115-116页 |
| ·晶粒尺寸与 NO_2 气敏灵敏度的关系 | 第116-117页 |
| ·吸附理论 | 第117-119页 |
| ·物理吸附 | 第117页 |
| ·化学吸附 | 第117-119页 |
| ·元件加热电压与灵敏度关系分析 | 第119页 |
| ·WO_3的导电机制 | 第119-121页 |
| ·WO_3基气敏元件在含 NO_2气氛中的响应机制 | 第120页 |
| ·WO_3基气敏元件在空气气氛中的恢复机制 | 第120-121页 |
| 本章小结 | 第121-122页 |
| 结论 | 第122-125页 |
| 创新点 | 第123-124页 |
| 工作展望 | 第124-125页 |
| 参考文献 | 第125-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 在读期间已发表和录用的论文及参与主持的科研项目及成果 | 第134-135页 |
