| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-55页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·石墨烯的物理性质 | 第12-19页 |
| ·石墨烯的制备 | 第19-35页 |
| ·石墨烯的表征方法 | 第35-43页 |
| ·石墨烯的应用研究 | 第43-45页 |
| ·本论文的选题背景与研究内容 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-55页 |
| 第二章 亚毫米单晶石墨烯的CVD制备 | 第55-79页 |
| ·引言 | 第55-59页 |
| ·实验装置及制备方法 | 第59-61页 |
| ·实验结果与讨论 | 第61-75页 |
| ·Cu衬底上石墨烯形貌的一种简易表征方法 | 第61-63页 |
| ·石墨烯成核密度的影响因素 | 第63-66页 |
| ·石墨烯层数的表征 | 第66-68页 |
| ·石墨烯单晶结构的表征 | 第68-72页 |
| ·单晶多层石墨烯的制备 | 第72-74页 |
| ·晶粒边界较少的连续膜石墨烯的制备 | 第74-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 参考文献 | 第77-79页 |
| 第三章 铜表面石墨烯的氢气刻蚀 | 第79-94页 |
| ·引言 | 第79-82页 |
| ·慢速降温下不同氢气浓度对石墨烯晶粒刻蚀的影响 | 第82-84页 |
| ·同一氢气浓度下不同降温速度对石墨烯晶粒刻蚀的影响 | 第84-88页 |
| ·铜衬底位置对氢气刻蚀石墨烯晶粒的影响 | 第88-90页 |
| ·石墨烯的条带状刻蚀 | 第90-91页 |
| ·本章小结 | 第91-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第四章 石墨烯的侧向同质外延 | 第94-113页 |
| ·引言 | 第94-98页 |
| ·剥离小块薄石墨片的外延 | 第98-102页 |
| ·实验过程 | 第98-99页 |
| ·实验结果与讨论 | 第99-102页 |
| ·二次生长单晶石墨烯 | 第102-106页 |
| ·实验过程 | 第102页 |
| ·实验结果与讨论 | 第102-106页 |
| ·多次生长单晶石墨烯 | 第106-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-113页 |
| 第五章 总结和展望 | 第113-116页 |
| ·总结 | 第113-114页 |
| ·展望 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-116页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第116-117页 |
| 致谢 | 第117页 |