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硅烯插入反应中的立体电子效应研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
第一章 绪言第9-18页
   ·量子化学发展背景及意义第9-10页
   ·理论简介第10-14页
     ·Schrodinger方程第10-11页
     ·Hartree-Fork理论第11-13页
     ·Post-SCF方法第13页
     ·密度泛函DFT理论第13-14页
   ·课题研究背景及意义第14-17页
   ·课题研究的目的第17-18页
第二章 硅烯与Si-X插入反应中的立体电子效应第18-46页
   ·硅烯与硅烷插入反应途径的选择第18-23页
     ·协同机理第18-22页
     ·自由基机理第22-23页
   ·硅烷上的取代基对反应活性的影响第23-35页
     ·硅烷上的取代基的电子效应对反应活性的影响第23-29页
     ·硅烷上的取代基的位阻效应对反应活性的影响第29-32页
     ·硅烷上的取代基的电子效应与位阻效应的综合考查第32-33页
     ·对实验中观察到的氯硅烷选择性发生Si-H和Si-Cl反应的理论解释第33-35页
   ·硅烯上的取代基对反应活性的影响第35-42页
     ·硅烯上的取代基的电子效应对反应活性的影响第36-40页
     ·硅烯上的取代基的位阻效应对反应活性的影响第40-42页
   ·硅烯Si-X插入反应中的立体电子效应第42-45页
     ·硅烯与Si-X插入反应活性的简单比较第42-44页
     ·硅烯与Si-X插入反应的选择性第44-45页
   ·本章小结第45-46页
第三章 立体电子效应对硅烯插入反应选择性的影响第46-52页
   ·理论计算部分第46-47页
   ·实验部分第47-50页
     ·四-(2,2,5,5)三甲基硅基环戊硅烯的合成第48页
     ·硅烯与三氯硅烷的反应第48-49页
     ·硅烯与甲基二氯硅烷的反应第49页
     ·硅烯与二苯基氯硅烷的反应第49-50页
     ·硅烯与二苯基二氯及苯基三氯硅烷的反应第50页
   ·实验结果与理论计算结果的简单比较第50-51页
   ·本章小结第51-52页
第四章 总结与展望第52-53页
参考文献第53-58页
致谢第58页

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