“C-BN/金刚石”多层膜的制备及压电特性研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-15页 |
·课题的研究意义 | 第9页 |
·金刚石声表面波器件 | 第9-12页 |
·金刚石声表面波器件的结构 | 第10页 |
·金刚石声表面波器件的研究进展 | 第10-12页 |
·C-BN 薄膜/金刚石多层膜结构 SAW 器件 | 第12-13页 |
·本课题的立论依据及主要工作 | 第13-15页 |
第二章 氮化硼薄膜的制备及其表征手段 | 第15-24页 |
·氮化硼的晶体结构及性质 | 第15-20页 |
·立方氮化硼 | 第16-19页 |
·六方氮化硼 | 第19页 |
·其他结构的氮化硼 | 第19-20页 |
·氮化硼薄膜的制备工艺及表征手段 | 第20-22页 |
·射频磁控溅射系统 | 第20-21页 |
·衬底的清洗 | 第21页 |
·样品制备原理及实验过程 | 第21-22页 |
·氮化硼薄膜的表征手段 | 第22-24页 |
·傅里叶红外吸收光谱仪(FTIR) | 第22页 |
·X 射线衍射分析仪(XRD) | 第22-23页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第23-24页 |
第三章 硅衬底上沉积氮化硼薄膜结构特性的研究 | 第24-36页 |
·射频功率对 BN 薄膜制备的影响 | 第24-26页 |
·衬底负偏压对 BN 薄膜制备的影响 | 第26-28页 |
·衬底温度对 BN 薄膜制备的影响 | 第28-30页 |
·氮气与氩气流量比对 BN 薄膜制备的影响 | 第30-32页 |
·工作气压对 BN 薄膜制备的影响 | 第32-34页 |
·本章总结 | 第34-36页 |
第四章 氮化硼薄膜压电性能的研究 | 第36-43页 |
·压电性能的研究 | 第36页 |
·底电极的制备及表征 | 第36-38页 |
·底电极的选择 | 第36-37页 |
·底电极的制备及表征 | 第37-38页 |
·底电极上 BN 压电薄膜的制备及表征 | 第38-40页 |
·不同氮氩比下 BN 薄膜的制备 | 第38页 |
·不同氮氩比下制备出的 BN 薄膜的表征 | 第38-40页 |
·氮氩比对 BN 薄膜压电响应的影响研究 | 第40-41页 |
·BN 薄膜压电响应的研究 | 第41-42页 |
·本章小结 | 第42-43页 |
第五章 金刚石衬底上 C-BN 薄膜的制备 | 第43-45页 |
·金刚石衬底上 C-BN 薄膜的制备及表征 | 第43-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
第六章 结论与展望 | 第45-46页 |
·结论 | 第45页 |
·展望 | 第45-46页 |
参考文献 | 第46-50页 |
发表论文和科研情况说明 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |