| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 热电材料及其研究现状 | 第9-37页 |
| ·温差电现象(热电效应) | 第9-11页 |
| ·热电材料的历史及研究现状 | 第11-29页 |
| ·Bi_2Te_3化合物及其固溶体合金 | 第12-15页 |
| ·Half-Heusler化合物热电材料 | 第15-19页 |
| ·Skutterudite系化合物热电材料 | 第19-22页 |
| ·氧化物热电材料 | 第22-29页 |
| ·NaCo_2O_4系氧化物热电材料 | 第22-26页 |
| ·Ca_3Co_4O_9氧化物热电材料 | 第26-29页 |
| ·低维热电材料 | 第29-33页 |
| ·脉冲激光沉积技术 | 第33-36页 |
| ·脉冲激光烧蚀(PLA) | 第33-34页 |
| ·脉冲沉积(PLD)技术 | 第34-36页 |
| ·论文的研究目标、研究内容 | 第36-37页 |
| 第二章 Ca_3Co_4O_9热电陶瓷靶材的制备 | 第37-43页 |
| ·主要实验原料及设备 | 第37-38页 |
| ·工艺流程 | 第38-40页 |
| ·实验方案的实施 | 第40-41页 |
| ·靶材样品烧结工艺 | 第41-42页 |
| ·样品分析 | 第42-43页 |
| 第三章 脉冲激光沉积法制备Ca_3Co_4O_9薄膜材料 | 第43-50页 |
| ·实验用的脉冲激光沉积系统 | 第43-44页 |
| ·实验过程 | 第44-50页 |
| ·衬底选择与衬底预处理 | 第44-45页 |
| ·PLD制备薄膜前的准备工作及镀膜程序 | 第45页 |
| ·Ca_3Co_4O_9薄膜制备条件 | 第45-46页 |
| ·薄膜生长 | 第46-47页 |
| ·薄膜退火 | 第47页 |
| ·薄膜样品检测 | 第47-50页 |
| ·薄膜样品物相分析、显微组织分析 | 第47-48页 |
| ·薄膜样品电学性能测试及其电极的制备 | 第48-50页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第50-66页 |
| ·靶材结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·PC法溶胶-凝胶过程分析与讨论 | 第50-51页 |
| ·Ca_3Co_4O_9热电陶瓷靶材XRD分析 | 第51-54页 |
| ·不同烧结温度下的Ca_3Co_4O_9热电陶瓷靶材XRD分析 | 第52-53页 |
| ·不同保温时间下的Ca_3Co_4O_9热电陶瓷靶材XRD分析 | 第53-54页 |
| ·靶材样品的显微组织分析 | 第54-55页 |
| ·薄膜样品结果与讨论 | 第55-66页 |
| ·单晶Al_2O_3衬底、及其择优取向分析 | 第55-57页 |
| ·Ca_3Co_4O_9薄膜样品择优取向分析 | 第57-58页 |
| ·Ca_3Co_4O_9薄膜样品与靶材XRD图谱对比 | 第58-59页 |
| ·衬底温度对薄膜生长的影响 | 第59-60页 |
| ·薄膜显微组织及能谱分析 | 第60-62页 |
| ·薄膜电阻率 | 第62-66页 |
| 第五章 结论 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 附录A | 第75页 |
