| 第一章 迅速发展的半导体太阳电池技术 | 第1-18页 |
| 1．1 利用太阳电池开发太阳能 | 第7-8页 |
| 1．2 太阳电池的发展概况 | 第8-10页 |
| 1．3 GaAs太阳电池 | 第10-11页 |
| 1．4 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体级联电池 | 第11-16页 |
| 1．5 GaInP_2/GaAs/Ge级联电池 | 第16-18页 |
| 第二章 太阳电池的原理和参数表征 | 第18-29页 |
| 2．1 半导体光生伏特效应和光电流的产生 | 第18-20页 |
| 2．2 大气质量和太阳电池光谱响应 | 第20-21页 |
| 2．3 单结太阳电池的伏安特性 | 第21-23页 |
| 2．4 太阳电池的特征参数 | 第23页 |
| 2．5 影响电池转换效率的因素 | 第23-25页 |
| 2．6 级联电池的电流电压特性 | 第25-29页 |
| 第三章 MOCVD技术 | 第29-37页 |
| 3．1 概述 | 第29页 |
| 3．2 低压MOCVD技术 | 第29-31页 |
| 3．3 MOCVD技术的现状和发展趋势 | 第31-33页 |
| 3．4 本文工作所使用的XG2-1型MOCVD装置 | 第33-37页 |
| 3．4．1 系统结构 | 第33-35页 |
| 3．4．2 装置的性能与特征 | 第35-37页 |
| 第四章 GaInP_2/GaAs/Ge级联电池结构的设计 | 第37-45页 |
| 4．1 几种典型的GaInP_2/GaAs级联电池结构 | 第37-39页 |
| 4．2 GaAs/Ge底电池结构的设计分析 | 第39-41页 |
| 4．3 双结级联电池的隧道结设计 | 第41-42页 |
| 4．4 GaInP_2顶电池的设计问题 | 第42-45页 |
| 4．4．1 背电场（BSF）层在电池中的应用 | 第42-43页 |
| 4．4．2 GaInP_2/GaAs/Ge级联电池的电流匹配 | 第43-45页 |
| 第五章 GaInP_2/GaAs/Ge级联电池结构的MOCVD生长 | 第45-61页 |
| 5．1 GaAs/Ge单结太阳电池结构的生长 | 第45-46页 |
| 5．2 级联电池的隧道结生长研究 | 第46-48页 |
| 5．2．1 GaAs隧道结的掺杂生长 | 第46-47页 |
| 5．2．2 抑制级联太阳电池中隧道结杂质扩散的实现 | 第47-48页 |
| 5．3 GaInP_2材料的生长研究 | 第48-53页 |
| 5．3．1 概述 | 第48-49页 |
| 5．3．2 非掺杂GaInP_2的MOCVD生长 | 第49-52页 |
| 5．3．3 GaInP_2的p型掺杂 | 第52-53页 |
| 5．3．4 GaInP_2的n型掺杂 | 第53页 |
| 5．4 AlInP_2的外延生长及p型掺杂 | 第53-54页 |
| 5．5 GaInP_2/GaAs/Ge级联电池的结构生长 | 第54-58页 |
| 5．6 小结 | 第58-61页 |
| 第六章 太阳电池后工艺制作及测试 | 第61-70页 |
| 6．1 淀积Si_3N_4薄膜 | 第61-62页 |
| 6．2 电池电极设计与制作 | 第62-64页 |
| 6．2．1 上电极的设计 | 第62页 |
| 6．2．2 电极材料的选择 | 第62-63页 |
| 6．2．3 光刻正电极图形 | 第63页 |
| 6．2．4 蒸镀电极 | 第63-64页 |
| 6．2．5 合金化与电极的欧姆接触 | 第64页 |
| 6．3 电极的电镀增厚 | 第64-66页 |
| 6．4 选择腐蚀 | 第66-67页 |
| 6．4．1 等离子体刻蚀Si_3N_4薄膜 | 第66页 |
| 6．4．2 化学腐蚀GaAs帽子层 | 第66-67页 |
| 6．5 抗反射膜制备 | 第67-69页 |
| 6．5．1 抗反射膜的选择 | 第67-68页 |
| 6．5．2 制备双层抗反射膜MgF_2/ZnS | 第68-69页 |
| 6．6 电池的特征参数测试 | 第69-70页 |
| 第七章 总结与建议 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 在读期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
