摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
第一章 绪论 | 第11-30页 |
·引言 | 第11-12页 |
·有机电致发光器件的发展历程 | 第12-16页 |
·有机电致发光器件的发展历史 | 第12-13页 |
·有机电致发光器件的产业化现状 | 第13-16页 |
·有机电致发光器件的基本原理 | 第16-28页 |
·器件发光原理及理论模型 | 第16-18页 |
·激发态能量转移和载流子传输理论 | 第18-20页 |
·OLED 器件结构 | 第20-23页 |
·器件的主要材料 | 第23-24页 |
·器件的制备技术 | 第24-25页 |
·器件的重要参数 | 第25-28页 |
·有机电致发光器件待需解决的问题 | 第28页 |
·本论文的主要工作 | 第28-30页 |
第二章 半导体界面电子结构及实验技术 | 第30-39页 |
·叠层OLED 器件的发展 | 第30-31页 |
·叠层器件内部连接层结构和材料 | 第31-32页 |
·有机半导体界面电子结构与能级排布 | 第32-35页 |
·界面电子能级的基本概念 | 第32-33页 |
·真空能级的定义 | 第33-34页 |
·能带的弯曲 | 第34-35页 |
·相关实验技术 | 第35-39页 |
·X 射线光电子能谱和紫外光电子能谱 | 第35-37页 |
·样品制备及测试 | 第37-38页 |
·器件制备及表征 | 第38-39页 |
第三章 基于过渡金属氧化物WO_3的内部连接层界面电子结构 | 第39-49页 |
·引言 | 第39-40页 |
·基于WO_3 内部连接层界面电子结构 | 第40-45页 |
·NPB/WO_3/Mg:Alq_3 界面 | 第42页 |
·NPB/WO_3/Alq_3 界面 | 第42-44页 |
·NPB/Mg:Alq_3 界面 | 第44页 |
·NPB/Alq_3 界面 | 第44-45页 |
·基于WO_3 内部连接层界面能级排布 | 第45-47页 |
·器件性能分析 | 第47-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第四章 基于过渡金属氧化物MoO_3的内部连接层界面电子结构 | 第49-67页 |
·引言 | 第49-50页 |
·以Bphen 为ETL 的基于MoO_3 内部连接层界面电子结构 | 第50-57页 |
·NPB/MoO_3/Mg:Bphen/Bphen 界面 | 第50-54页 |
·NPB/MoO_3/Bphen 界面 | 第54-55页 |
·NPB/Mg:Bphen 界面 | 第55-56页 |
·NPB/Bphen 界面 | 第56-57页 |
·以Bphen 为ETL 的基于MoO_3 内部连接层界面能级排布 | 第57-60页 |
·以Alq_3 为ETL 的基于MoO_3 内部连接层界面电子结构 | 第60-63页 |
·NPB/MoO_3/Mg:Alq_3/Alq_3 界面 | 第62页 |
·NPB/MoO_3/Alq_3 界面 | 第62-63页 |
·以Alq_3 为ETL 的基于MoO_3 内部连接层界面能级排布 | 第63-64页 |
·器件性能分析 | 第64-65页 |
·本章小结 | 第65-67页 |
第五章 基于MoO_3双混合内部连接层的界面电子结构 | 第67-72页 |
·引言 | 第67-68页 |
·MoO_3:NPB/Cs_2CO_3:Bphen 界面电子结构及能级排布 | 第68-70页 |
·MoO_3:NPB/MoO_3/Cs_2CO_3:Bphen 界面电子结构及能级排布 | 第70-71页 |
·本章小结 | 第71-72页 |
第六章 基于过渡金属氧化物的内部连接层电荷产生机理及模型 | 第72-77页 |
·引言 | 第72页 |
·基于内部连接层倒置器件的I-V 特性 | 第72-73页 |
·基于内部连接层器件的电容特性 | 第73-75页 |
·内部连接层电荷产生注入模型 | 第75-76页 |
·本章小结 | 第76-77页 |
第七章 过渡金属氧化物在叠层太阳能电池中间电极中的应用 | 第77-83页 |
·引言 | 第77页 |
·叠层太阳能电池的发展 | 第77-78页 |
·基于MoO_3 中间电极的界面电子结构及能级排布 | 第78-81页 |
·本章小结 | 第81-83页 |
第八章 全文总结及展望 | 第83-86页 |
·全文总结 | 第83-85页 |
·未来工作展望 | 第85-86页 |
参考文献 | 第86-91页 |
攻读硕士学位期间发表的文章 | 第91-92页 |
致谢 | 第92-93页 |