| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第1章 绪论 | 第12-23页 |
| ·课题来源 | 第12-13页 |
| ·薄膜应力的分类 | 第13-14页 |
| ·按作用方向分 | 第13页 |
| ·按形成机理分 | 第13-14页 |
| ·薄膜应力的研究进程 | 第14-16页 |
| ·薄膜应力的研究进程 | 第14-15页 |
| ·薄膜应力的测量方法 | 第15页 |
| ·薄膜应力的机制研究 | 第15-16页 |
| ·本课题研究背景及理论基础 | 第16-21页 |
| ·新兴交叉学科——计算材料学 | 第16页 |
| ·材料科学中的计算机模拟 | 第16-18页 |
| ·计算机模拟的计算模型 | 第18页 |
| ·分子模拟 | 第18-19页 |
| ·用蒙特卡洛(Monte Carlo)法模拟薄膜生长 | 第19-20页 |
| ·已有的三种模拟薄膜生长算法 | 第20页 |
| ·Monte Carlo模拟薄膜生长的最新进展 | 第20-21页 |
| ·本课题的主要研究目的、内容和意义 | 第21-23页 |
| 第2章 模型与算法 | 第23-35页 |
| ·基本思想 | 第23-26页 |
| ·衬底模型的选择 | 第24-25页 |
| ·迁移判断的方法 | 第25-26页 |
| ·周期性边界条件 | 第26页 |
| ·模型设计 | 第26-28页 |
| ·吸附“事件”及其发生的绝对概率 | 第28页 |
| ·迁移“事件”及其发生的绝对概率 | 第28页 |
| ·蒸发“事件”及其发生的绝对概率 | 第28页 |
| ·激活能的计算 | 第28-30页 |
| ·原子间相互作用势 | 第29页 |
| ·激活能的计算 | 第29-30页 |
| ·KMC算法描述 | 第30-33页 |
| ·吸附“事件”被选中 | 第31-32页 |
| ·迁移或蒸发“事件”被选中 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 薄膜应力的计算机处理 | 第35-40页 |
| ·薄膜应力的定义 | 第35-36页 |
| ·薄膜应力的计算机处理 | 第36-39页 |
| ·基本思路 | 第36页 |
| ·原子层次上的应力定义 | 第36页 |
| ·面上的“假想力” | 第36-38页 |
| ·两个原子间的相互作用力 | 第38-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 影响薄膜应力的因素及其测量方法 | 第40-47页 |
| ·影响薄膜应力的因素 | 第40-43页 |
| ·基体材料 | 第40页 |
| ·基体温度 | 第40页 |
| ·薄膜厚度 | 第40-43页 |
| ·沉积速率 | 第43页 |
| ·热处理 | 第43页 |
| ·薄膜应力的测量方法 | 第43-47页 |
| ·悬臂法 | 第43-44页 |
| ·X射线衍射法 | 第44页 |
| ·光谱法 | 第44-45页 |
| ·激光反射实时测量法 | 第45页 |
| ·激光干涉实时测量法 | 第45-47页 |
| 第5章 软件系统设计与统计分析 | 第47-56页 |
| ·软件系统设计 | 第47-48页 |
| ·输入与输出 | 第47页 |
| ·基本功能 | 第47-48页 |
| ·数据处理与统计分析 | 第48-55页 |
| ·输入与输出 | 第48页 |
| ·数据的定量统计与分析 | 第48-55页 |
| ·薄膜应力与薄膜平均厚度的关系 | 第49-50页 |
| ·薄膜应力与基底温度的关系 | 第50页 |
| ·薄膜应力与原子入射率的关系 | 第50-53页 |
| ·薄膜应力—厚度与沉积原子个数的关系 | 第53-54页 |
| ·薄膜应力—厚度与原子入射率的关系 | 第54页 |
| ·薄膜应力—厚度与基底温度的关系 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文目录 | 第62页 |