| 中文摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 绪论 | 第13-16页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·本工作的主要内容 | 第15-16页 |
| 第2章 半导体中自旋动力学的概述 | 第16-46页 |
| ·引言 | 第16-18页 |
| ·概念上的自旋电子学器件 | 第18-21页 |
| ·Datta-Das 晶体管 | 第18-19页 |
| ·Johnson 自旋晶体管 | 第19-20页 |
| ·SPICE 自旋晶体管 | 第20页 |
| ·Monsma 自旋晶体管 | 第20-21页 |
| ·自旋发光二极管 | 第21页 |
| ·GaAs 半导体的能带结构及样品性质 | 第21-29页 |
| ·半导体中自旋弛豫机制 | 第29-34页 |
| ·Elliott-Yafet （EY）机制 | 第30-31页 |
| ·D’yakonov-Perel’（DP）弛豫机制 | 第31-32页 |
| ·Bir-Aronov-Pikus(BAP)机制 | 第32-33页 |
| ·超精细相互作用机制导致的自旋弛豫 | 第33页 |
| ·各向异性交换相互作用 | 第33-34页 |
| ·半导体中自旋扩散/输运性质 | 第34-39页 |
| ·漂移-扩散方程 | 第34-36页 |
| ·Spin Coulomb Drag 效应 | 第36-38页 |
| ·自旋霍尔效应 | 第38-39页 |
| ·自旋极化的产生 | 第39-43页 |
| ·光学方法产生自旋极化 | 第40-42页 |
| ·电学方法产生自旋极化 | 第42-43页 |
| ·自旋极化的探测 | 第43-46页 |
| ·光学探测方法 | 第44-45页 |
| ·电学测量方法 | 第45-46页 |
| 第3章 半导体中的超快光学实验技术 | 第46-60页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·时间分辨的 Kerr/Faraday 旋转技术 | 第47-48页 |
| ·瞬态光栅的产生和探测 | 第48-59页 |
| ·实验光路图 | 第48-49页 |
| ·瞬态光栅的产生物理机制 | 第49-51页 |
| ·不同偏振态组合下产生的瞬态光栅 | 第51-54页 |
| ·GaAs 量子阱中的瞬态光栅 | 第54-56页 |
| ·瞬态光栅信号的探测 | 第56-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第4章 GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋扩散性质的实验研究 | 第60-74页 |
| ·引言 | 第60页 |
| ·实验过程 | 第60-63页 |
| ·实验样品 | 第60-63页 |
| ·实验设置 | 第63页 |
| ·实验结果及分析 | 第63-72页 |
| ·（110）GaAs/AlGaAs 本征样品中自旋输运性质的研究 | 第63-68页 |
| ·（110）GaAs/AlGaAs 掺杂样品中自旋输运性质的研究 | 第68-70页 |
| ·（100）和（111）GaAs/AlGaAs 样品中自旋扩散性质的研究 | 第70-72页 |
| ·本章小结 | 第72-74页 |
| 第5章 局域态电子自旋弛豫机制的研究 | 第74-82页 |
| ·引言 | 第74页 |
| ·实验过程 | 第74-75页 |
| ·样品结构 | 第74-75页 |
| ·实验设置 | 第75页 |
| ·实验结果及分析 | 第75-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 第6章 室温下 GaAs/AlGaAs 量子阱自旋弛豫的实验研究 | 第82-92页 |
| ·引言 | 第82页 |
| ·实验过程 | 第82-85页 |
| ·实验样品 | 第82-84页 |
| ·实验设置 | 第84-85页 |
| ·实验结果及分析 | 第85-90页 |
| ·（100）GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋动力学的实验研究 | 第85-87页 |
| ·（111）GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋动力学的实验研究 | 第87-88页 |
| ·（110）GaAs/AlGaAs 量子阱中自旋动力学的实验研究 | 第88-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第7章 GaAs/AlGaAs 量子阱中双极扩散过程的实验研究 | 第92-101页 |
| ·引言 | 第92-93页 |
| ·实验过程 | 第93-95页 |
| ·实验结果及分析 | 第95-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 第8章 总结 | 第101-103页 |
| 参考文献 | 第103-117页 |
| 发表的论文 | 第117-118页 |
| 参加的学术会议 | 第118-119页 |
| 致谢 | 第119页 |
