基于0.18μm硅射频CMOS工艺5.8GHz混频器设计
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-12页 |
| ·研究背景及意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状 | 第8-9页 |
| ·集成电路工艺选择 | 第9-10页 |
| ·集成电路设计流程 | 第10-11页 |
| ·论文组织 | 第11-12页 |
| 第二章 混频器设计与实现 | 第12-44页 |
| ·混频器概述 | 第12-14页 |
| ·基本原理 | 第12-14页 |
| ·本振幅度大小的确定 | 第14页 |
| ·混频器的性质 | 第14-26页 |
| ·变频增益(损耗) | 第14-15页 |
| ·混频器噪声 | 第15-22页 |
| ·线性度 | 第22-25页 |
| ·端口间隔离度 | 第25页 |
| ·功率消耗 | 第25-26页 |
| ·混频器种类 | 第26-35页 |
| ·无源混频器 | 第26-31页 |
| ·有源混频器 | 第31-35页 |
| ·混频器的线性化设计 | 第35-40页 |
| ·源极衰减技术 | 第35-36页 |
| ·共栅放大技术 | 第36-37页 |
| ·muti-tanh原理线性化的跨导技术 | 第37-38页 |
| ·交叉线性跨导技术 | 第38-39页 |
| ·前馈线性技术 | 第39-40页 |
| ·负反馈技术 | 第40页 |
| ·混频器的端口匹配设计 | 第40-43页 |
| ·射频端口阻抗匹配 | 第40-41页 |
| ·本振端口阻抗匹配 | 第41页 |
| ·中频输出阻抗匹配 | 第41-43页 |
| ·混频器单元电路结构 | 第43-44页 |
| 第三章 GILBERT混频器电路优化设计 | 第44-53页 |
| ·混频器源极退化优化 | 第45-46页 |
| ·混频器电流注入优化 | 第46-47页 |
| ·混频器增益部分电路的设计 | 第47-48页 |
| ·混频器开关部分电路的设计 | 第48页 |
| ·混频器输出负载电路的设计 | 第48-49页 |
| ·混频器电路优化设计分析 | 第49-53页 |
| ·混频器变频增益仿真分析及优化 | 第49-50页 |
| ·混频器噪声仿真分析及优化 | 第50-52页 |
| ·混频器1dB压缩点分析及优化 | 第52-53页 |
| 第四章 版图设计 | 第53-62页 |
| ·版图概述 | 第53页 |
| ·射频 CMOS电路版图设计考虑 | 第53-56页 |
| ·版图设计基本流程 | 第53-54页 |
| ·版图设计注意点 | 第54-55页 |
| ·版图设计时应注意的原则 | 第55页 |
| ·高速电路版图设计时应注意的各种效应 | 第55-56页 |
| ·本振为1GHz的混频器版图设计 | 第56-59页 |
| ·螺旋电感设计 | 第56-58页 |
| ·版图设计 | 第58-59页 |
| ·本振为1GHz的混频器仿真对比 | 第59-62页 |
| 第五章 结论与展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
