| 中文摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| ·GaN 材料的基本性质 | 第7页 |
| ·GaN 基HEMT 的应用背景和发展现状 | 第7-9页 |
| ·目前面临的问题 | 第9-13页 |
| ·2DEG 的面密度 | 第9-10页 |
| ·电流崩塌效应 | 第10-11页 |
| ·电子迁移率 | 第11-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 AlGaN/GaN 异质结中2DEG 的输运性质 | 第14-32页 |
| ·AlGaN/GaN 的理论模型 | 第14-19页 |
| ·GaN 基HEMT 的基本结构 | 第14页 |
| ·压电极化效应 | 第14-16页 |
| ·自发极化效应 | 第16-17页 |
| ·压电效应和自发极化效应对 2DEG 的影响 | 第17-19页 |
| ·2DEG 的自洽计算方法 | 第19-25页 |
| ·计算原理 | 第19-23页 |
| ·本文工作 | 第23-25页 |
| ·计算结果与讨论 | 第25-32页 |
| ·计算Al_(0.25)Ga_(0.75)N/GaN 的能带结构 | 第25页 |
| ·2DEG 密度与势垒层厚度的关系 | 第25-28页 |
| ·2DEG 面密度与AlxGa1-xN 中x 的关系 | 第28-30页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结的载流子分布曲线 | 第30-32页 |
| 第三章 创新AlGaN/AlN/InGaN/GaN 双层异质结 | 第32-42页 |
| ·设计思想 | 第32-34页 |
| ·能带的考虑 | 第32页 |
| ·极化效应的考虑 | 第32-33页 |
| ·电流崩塌效应的考虑 | 第33-34页 |
| ·AlGaN/AlN/InGaN/GaN 的物理模型 | 第34页 |
| ·DH 中2DEG 的面密度 | 第34-41页 |
| ·2DEG 的面密度与AlN 插入层的关系 | 第35-37页 |
| ·2DEG 与AlGaN 势垒层厚度的关系 | 第37-38页 |
| ·2DEG 面密度与InGaN 沟道层厚度的关系 | 第38-40页 |
| ·2DEG 的面密度与AlGaN 层中Al 组分的关系 | 第40页 |
| ·2DEG 面密度与InGaN 层中In 组分的关系 | 第40-41页 |
| ·对各种因素的分析 | 第41-42页 |
| 第四章 异质结中电流崩塌效应的研究 | 第42-49页 |
| ·RF 电流崩塌形成的机理 | 第42-44页 |
| ·应力模型-栅、源、漏串联电阻的变化造成RF 电流崩塌效应 | 第42-43页 |
| ·AlGaN 势垒层的虚栅模型 | 第43-44页 |
| ·DC 电流崩塌效应形成的机理 | 第44-45页 |
| ·与电流崩塌有关的因素 | 第45-46页 |
| ·表面态中最高的能量水平 | 第45页 |
| ·导带和价带的能量水平 | 第45页 |
| ·表面陷阱的密度 | 第45-46页 |
| ·分析各个异质结中电流崩塌效应 | 第46-49页 |
| ·AlGaN/InGaN/GaN 异质结中的电流崩塌效应 | 第46-47页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 异质结中电流崩塌效应的分析 | 第47页 |
| ·AlGaN/AlN/InGaN/GaN 中的电流崩塌 | 第47-49页 |
| 第五章 总结与未来展望 | 第49-50页 |
| ·成功计算了AlGaN/GaN 单异质结中2DEG 的性质 | 第49页 |
| ·设计了AlGaN/AlN/InGaN/GaN 双层异质结 | 第49页 |
| ·探讨了电流崩塌效应形成的机理 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-62页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
