| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 符号说明 | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| §1-1 概述 | 第10页 |
| 1-1-1 选题背景及意义 | 第10页 |
| §1-2 半导体测量技术的发展 | 第10-11页 |
| 1-2-1 半导体测量技术简介 | 第10-11页 |
| 1-2-2 半导体微区电阻检测方法分类 | 第11页 |
| §1-3 Mapping 技术的研究与发展 | 第11-12页 |
| §1-4 图像处理与分析 | 第12-13页 |
| 1-4-1 图像定义 | 第12页 |
| 1-4-2 图像的特点 | 第12页 |
| 1-4-3 图像工程 | 第12-13页 |
| 1-4-4 图像处理方法 | 第13页 |
| §1-5 本论文的主要研究内容 | 第13-14页 |
| 第二章 微区薄层电阻测试技术 | 第14-25页 |
| §2-1 微区薄层电阻测试的重要性 | 第14-17页 |
| 2-1-1 二极管的反向饱和电流 | 第14页 |
| 2-1-2 反向耐压 | 第14页 |
| 2-1-3 晶体管的饱和压降 | 第14-15页 |
| 2-1-4 晶体管放大倍数β | 第15-16页 |
| 2-1-5 MOS 电容耗尽层弛豫时间Tc | 第16页 |
| 2-1-6 GaAs 器件阈值分散性 | 第16页 |
| 2-1-7 化合物半导体计量比一致性 | 第16-17页 |
| 2-1-8 材料结构强度判定依据 | 第17页 |
| 2-1-9 硅可控整流器 | 第17页 |
| §2-2 影响薄层电阻测试的主要因素 | 第17-20页 |
| 2-2-1 薄层电阻测量方法简介 | 第17-19页 |
| 2-2-2 环境温、湿度 | 第19页 |
| 2-2-3 测试设备电流的泄露 | 第19页 |
| 2-2-4 测试电压 | 第19-20页 |
| 2-2-5 测试时间 | 第20页 |
| 2-2-6 外界干扰 | 第20页 |
| §2-3 常用的微区电阻测试方法 | 第20-25页 |
| 2-3-1 无接触测量法 | 第20-21页 |
| 2-3-2 接触测量法 | 第21-25页 |
| 第三章 四探针测试技术测量薄层电阻的原理和方法 | 第25-36页 |
| §3-1 四探针测试技术综述 | 第25-26页 |
| §3-2 常规直线四探针法 | 第26-31页 |
| 3-2-1 常规直线四探针法的基本原理 | 第26-27页 |
| 3-2-2 直线四探针法的测准条件分析 | 第27-28页 |
| 3-2-3 测量电流的选择 | 第28-29页 |
| 3-2-4 直线四探针技术的边缘和厚度修正 | 第29-30页 |
| 3-2-5 直线四探针法测量区域的局限 | 第30-31页 |
| §3-3 改进的范德堡法 | 第31-33页 |
| 3-3-1 改进的范德堡法的基本原理 | 第31页 |
| 3-3-2 改进的范德堡法测试条件分析 | 第31-33页 |
| §3-4 斜置式方形Rymaszewski 四探针法 | 第33-34页 |
| §3-5 实验所用仪器介绍 | 第34-36页 |
| 第四章 Mapping 图表示方法及设计思路 | 第36-54页 |
| §4-1 实验软件MATLAB 介绍 | 第36-37页 |
| 4-1-1 MATLAB 的历史与发展 | 第36页 |
| 4-1-2 MATLAB 的应用功能 | 第36-37页 |
| 4-1-3 MATLAB 的特点 | 第37页 |
| §4-2 数据显示方法 | 第37-39页 |
| 4-2-1 一维表示方法 | 第38页 |
| 4-2-2 二维表示方法 | 第38-39页 |
| 4-2-3 三维表示方法 | 第39页 |
| §4-3 电阻率分布显示设计方法 | 第39-51页 |
| 4-3-1 径向图与径向对比图 | 第39-41页 |
| 4-3-2 彩色图与灰度图显示 | 第41-50页 |
| 4-3-3 等值线图形显示 | 第50-51页 |
| §4-4 实测四吋圆形硅片电阻率分布 | 第51-54页 |
| 第五章 电阻率分布自动显示设计 | 第54-59页 |
| §5-1 电阻率分布自动显示设计方案 | 第54-57页 |
| 5-1-1 电阻率分布自动显示方法概述 | 第54页 |
| 5-1-2 电阻率分布自动显示设计思路 | 第54-55页 |
| 5-1-3 生成COM 组件 | 第55-56页 |
| 5-1-4 VC++设置 | 第56-57页 |
| §5-2 界面设计及运行原理 | 第57-59页 |
| 第六章 结论与展望 | 第59-60页 |
| §6-1 主要结论 | 第59页 |
| §6-2 未来展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 附录 A | 第62-64页 |
| 附录 B | 第64-66页 |
| 附录 C | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68页 |