高纯HgI2多晶的制备与性能表征
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-33页 |
| ·引言 | 第9-16页 |
| ·化合物半导体材料 | 第10-11页 |
| ·室温核辐射半导体探测器材料 | 第11-15页 |
| ·室温半导体核辐射探测器对材料的要求 | 第15-16页 |
| ·HgI_2晶体的结构和性质 | 第16-26页 |
| ·HgI_2晶体的结构 | 第16-20页 |
| ·HgI_2晶体的基本性质 | 第20-21页 |
| ·_3 HgI_2晶体的带隙 | 第21-22页 |
| ·HgI_2晶体的热学性质和力学性质 | 第22-25页 |
| ·HgI_2晶体的电学性质 | 第25-26页 |
| ·HgI_2探测器与其它化合物半导体探测器的比较 | 第26-32页 |
| ·研究内容和立题依据 | 第32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第二章 高纯HgI_2多晶的制备 | 第33-47页 |
| ·HgI_2多晶的合成控制原理分析 | 第33-43页 |
| ·HgI_2的合成工艺 | 第33-36页 |
| ·HgI_2合成的理论依据 | 第36-38页 |
| ·HgI_2晶体合成因素的控制 | 第38-43页 |
| ·HgI_2多晶的合成实验研究 | 第43-46页 |
| ·实验准备 | 第43-44页 |
| ·合成实验过程 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第三章 实验结果与分析 | 第47-59页 |
| ·HgI_2多晶的结构分析 | 第47-50页 |
| ·HgI_2多晶的纯度分析 | 第50-52页 |
| ·能谱分析 | 第52-53页 |
| ·差式扫描量热分析 | 第53-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第四章 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 硕士研究生期间发表的论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 西北工业大学学位论文知识产权声明书 | 第70页 |
| 西北工业大学学位论文原创性声明 | 第70页 |
