| 第一章 前言 | 第1-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-42页 |
| 2．1 SiGe基本性质 | 第15-17页 |
| 2．1．1 SiGe异质结构材料的基本性质 | 第15-16页 |
| 2．1．2 锗硅材料的能带结构 | 第16-17页 |
| 2．2 单晶锗硅薄膜的研究现状 | 第17-29页 |
| 2．2．1 单晶SiGe材料的生长方法 | 第18-21页 |
| 2．2．2 单晶SiGe材料的用途 | 第21-26页 |
| 2．2．4 单晶SiGe材料存在的问题 | 第26-29页 |
| 2．3 多晶锗硅薄膜的研究现状 | 第29-32页 |
| 2．3．1 多晶锗硅薄膜的生长方法 | 第29-31页 |
| 2．3．2 多晶锗硅材料的应用 | 第31-32页 |
| 2．4 本论文的内容 | 第32-34页 |
| 参考文献 | 第34-42页 |
| 第三章实验设备及原理 | 第42-49页 |
| 3．1 超高真空化学气相沉积原理 | 第42-45页 |
| 3．1．1 超高真空化学气相沉积概述 | 第42-43页 |
| 3．1．2 超高真空化学气十订沉积特点 | 第43-45页 |
| 3．2 UHVCVD．Ⅱ实验设备介绍 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 单晶锗硅生长 | 第49-61页 |
| 4．1 SiGe薄膜生长工艺 | 第50-51页 |
| 4．2 不同的缓冲层结构 | 第51-59页 |
| 4．3 小结 | 第59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第五章选择性外延生长锗硅 | 第61-79页 |
| 5．1 预备知识 | 第61页 |
| 5．2 低温选择性外延SiGe的必要性 | 第61-62页 |
| 5．3 样品的制备 | 第62-65页 |
| 5．4 生长气氛对选择性外延锗硅薄膜的影响 | 第65-72页 |
| 5．4．1 H_2、GeH_4低温下对选择性外延锗硅的影响(500℃～550℃) | 第65-68页 |
| 5．4．2 GeH_4较高温度下对选择性外延的影响(≥550℃) | 第68-69页 |
| 5．4．3 SiGe选择性生长范围的确定 | 第69-72页 |
| 5．5 电学性能 | 第72-76页 |
| 5．5．1 肖特基结制备流程 | 第72-74页 |
| 5．5．2 I-V电学性能测试 | 第74-76页 |
| 5．6 小结 | 第76页 |
| 参考文献 | 第76-79页 |
| 第六章多晶锗硅生长 | 第79-117页 |
| 6．1 前言 | 第79-80页 |
| 6．2 超高真空化学气相沉积生长多晶锗硅 | 第80-88页 |
| 6．2．1 多品锗硅的制备 | 第80页 |
| 6．2．2 UHVCVD生长多品锗硅薄膜的特征 | 第80-87页 |
| 6．2．3 UHVCVD生长多品锗硅的评价 | 第87-88页 |
| 6．3 金属诱导与超高真空相结合生长多晶锗硅 | 第88-111页 |
| 6．3．1 样品的制备 | 第88-89页 |
| 6．3．2 MIG对多品锗硅薄膜生长的影响 | 第89-104页 |
| 6．3．2．1 Ni对多品锗碎薄膜的生长的影响 | 第89-91页 |
| 6．3．2．2 Ni厚度对薄膜质量与形貌的影响 | 第91-96页 |
| 6．3．2．3 生长参数对多品锗硅薄膜的生长 | 第96-100页 |
| 6．3．2．4 Ni、Ge住薄膜中的分布 | 第100-103页 |
| 6．3．2．5 品须状薄膜的生长 | 第103-104页 |
| 6．3．3 金属诱导生长机理的研究 | 第104-111页 |
| 6．4 多晶锗硅薄膜的Hall迁移率 | 第111-112页 |
| 6．5 MIG方法生长多晶锗硅的优势 | 第112-113页 |
| 6．6 小结 | 第113页 |
| 参考文献 | 第113-117页 |
| 第七章 多晶锗硅薄膜的电学性能 | 第117-124页 |
| 7．1 前言 | 第117-118页 |
| 7．2 肖特基结的制备 | 第118页 |
| 7．3 电学性能测试 | 第118-121页 |
| 7．3．1 肖特基结的I-V曲线图 | 第118-120页 |
| 7．3．1 相关参数的计算 | 第120-121页 |
| 7．4 小结 | 第121页 |
| 参考文献 | 第121-124页 |
| 第八章总结 | 第124-126页 |
| 致谢 | 第126-127页 |
| 附：博士期间发表和接收的论文 | 第127-128页 |